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The Igbt Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor - Rilegato

Baliga, B. Jayant

 
9780323999120: The Igbt Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Rilegato
ISBN 10: 0323999123 ISBN 13: 9780323999120
Casa editrice: Elsevier Science Ltd, 2022
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  • EditoreElsevier Science Ltd
  • Data di pubblicazione2022
  • ISBN 10 0323999123
  • ISBN 13 9780323999120
  • RilegaturaCopertina rigida
  • Numero edizione2
  • Numero di pagine800

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9780323999120: The Igbt Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
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Descrizione libro Hardcover. Condizione: new. Hardcover. The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor, Second Edition provides the essential information needed by applications engineers to design new products using the device in sectors including consumer, industrial, lighting, transportation, medical and renewable energy. The IGBT device has proven to be a highly important Power Semiconductor, providing the basis for adjustable speed motor drives (used in air conditioning and refrigeration and railway locomotives), electronic ignition systems for gasoline powered motor vehicles and energy-saving compact fluorescent light bulbs.The book presents recent applications in plasma displays (flat-screen TVs) and electric power transmission systems, alternative energy systems and energy storage, but it is also used in all renewable energy generation systems, including solar and wind power. This book is the first available on the applications of the IGBT. It will unlock IGBT for a new generation of engineering applications, making it essential reading for a wide audience of electrical and design engineers, as well as an important publication for semiconductor specialists. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. Codice articolo 9780323999120

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