Nanoscale MOS Transistors: Semi-Classical Transport and Applications

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9780521516846: Nanoscale MOS Transistors: Semi-Classical Transport and Applications

Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design. Key areas covered include: • Transport in arbitrary crystal orientations and strain conditions, and new channel and gate stack materials • All the relevant transport regimes, ranging from low field mobility to quasi-ballistic transport, described using a single modeling framework • Predictive capabilities of device models, discussed with systematic comparisons to experimental results

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Recensione:

'In this comprehensive text, physicists and electrical engineers will find a thorough treatment of semiclassical carrier transport in the context of nanoscale MOSFETs. With only a very basic background in mathematics, physics, and electronic devices, the authors lead readers to a state-of-the-art understanding of the advanced transport physics and simulation methods used to describe modern transistors.' Mark Lundstrom, Purdue University

'This is the most pedagogical and comprehensive book in the field of CMOS device physics I have ever seen.' Thomas Skotnicki, STMicroelectronics

'This is a modern and rigorous treatment of transport in advanced CMOS devices. The detailed and complete description of the models and the simulation techniques makes the book fully self sufficient.' Asen Asenov, University of Glasgow

Descrizione del libro:

Provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. Written from an engineering standpoint, it covers all the latest topics and assumes minimal background in solid state physics and quantum mechanics.

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1.

David Esseni, Pierpaolo Palestri, Luca Selmi
Editore: CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS, United Kingdom (2011)
ISBN 10: 0521516846 ISBN 13: 9780521516846
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Descrizione libro CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS, United Kingdom, 2011. Hardback. Condizione libro: New. New.. 248 x 172 mm. Language: English . Brand New Book. Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design. Key areas covered include: * Transport in arbitrary crystal orientations and strain conditions, and new channel and gate stack materials * All the relevant transport regimes, ranging from low field mobility to quasi-ballistic transport, described using a single modeling framework * Predictive capabilities of device models, discussed with systematic comparisons to experimental results. Codice libro della libreria AAA9780521516846

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Esseni, David/ Palestri, Pierpaolo/ Selmi, Luca
Editore: Cambridge Univ Pr (2011)
ISBN 10: 0521516846 ISBN 13: 9780521516846
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David Esseni, Pierpaolo Palestri, Luca Selmi
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DAVID ESSENI , PIERPAOLO PALESTRI , LUCA SELMI
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Esseni, David
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Esseni, David/ Palestri, Pierpaolo/ Selmi, Luca
Editore: Cambridge Univ Pr (2011)
ISBN 10: 0521516846 ISBN 13: 9780521516846
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