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The use of silicon-on-insulator (SOI) technology in microelectronics is proliferating and is ready to be applied in a growing number of IC fabrication situations. Bonding of single crystal Si to dielectrics, normally silicon dioxide, is a key method of producing SOI structures and this work is designed to assist engineers directly in applying emerging SOI technology in practice. Wafer bonding principles, grind and polish back, Smartcut, Eltran and wafer characterization are all explained and illustrated for the benefit of the process development engineer.
Le informazioni nella sezione "Riassunto" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.
- EditoreInst of Engineering & Technology
- Data di pubblicazione2001
- ISBN 10 0852960395
- ISBN 13 9780852960394
- RilegaturaCopertina rigida
- Numero di pagine200
- RedattoreIyer Subramanian S., Auberton-Herve Andre J.
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