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Sinossi
This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the FinFET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
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Informazioni sull?autore
Sudeb Dasgupta, Brajesh Kumar Kaushik, Pankaj Kumar Pal
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- EditoreCRC Press
- Data di pubblicazione2017
- ISBN 10 1498783597
- ISBN 13 9781498783590
- RilegaturaCopertina rigida
- LinguaInglese
- Numero edizione1
- Numero di pagine154
- Contatto del produttorenon disponibile
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