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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications - Brossura

 
9783866446151: AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications

Sinossi

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

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  • EditoreKIT Scientific Publishing
  • Data di pubblicazione2012
  • ISBN 10 3866446152
  • ISBN 13 9783866446151
  • RilegaturaCopertina flessibile
  • LinguaInglese
  • Numero di pagine262
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Taschenbuch. Condizione: Neu. AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications | Jutta Kühn | Taschenbuch | 262 S. | Englisch | 2014 | Karlsruher Institut für Technologie | EAN 9783866446151 | Verantwortliche Person für die EU: KIT Scientific Publishing, Straße am Forum 2, 76131 Karlsruhe, info[at]ksp[dot]kit[dot]edu | Anbieter: preigu. Codice articolo 105170314

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Editore: KIT Scientific Publishing, 2012
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