Articoli correlati a Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale:...

Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale: 243 - Brossura

 
9789401049009: Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale: 243

Sinossi

The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.

Le informazioni nella sezione "Riassunto" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Contenuti

Preface. I: Epitaxial Growth of Semiconductors. II: Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. III: Atomic Scale Analysis of Semiconductor Interfaces. IV: Group IV Materials. V: Nanometer Scale Devices. Subject Index.

Le informazioni nella sezione "Su questo libro" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

  • EditoreSpringer
  • Data di pubblicazione2012
  • ISBN 10 9401049009
  • ISBN 13 9789401049009
  • RilegaturaCopertina flessibile
  • LinguaInglese
  • Numero di pagine272
  • RedattoreSalemink H.W.M, Pashley M.D.
  • Contatto del produttore{language_tag:it_IT,value:"Springer Nature Customer Service Center GmbH; ProductSafety@springernature.com"}

Compra usato

Condizioni: come nuovo
Like New
Visualizza questo articolo

EUR 29,20 per la spedizione da Regno Unito a Italia

Destinazione, tempi e costi

EUR 9,70 per la spedizione da Germania a Italia

Destinazione, tempi e costi

Altre edizioni note dello stesso titolo

9780792323976: Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale: 243

Edizione in evidenza

ISBN 10:  0792323971 ISBN 13:  9780792323976
Casa editrice: Kluwer Academic Pub, 1993
Rilegato

Risultati della ricerca per Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale:...

Immagini fornite dal venditore

Salemink, H.W.M|Pashley, M. D.
Editore: Springer Netherlands, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura
Print on Demand

Da: moluna, Greven, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on The Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale, Riva del Garda, Italy, August 31-September 2, 1992 The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semic. Codice articolo 5831653

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 180,07
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 9,70
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

M. D. Pashley
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Taschenbuch
Print on Demand

Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 272 pp. Englisch. Codice articolo 9789401049009

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 213,99
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 15,00
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 1 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

M. D. Pashley
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Taschenbuch

Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling. Codice articolo 9789401049009

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 221,53
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 14,99
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 1 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura

Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. In. Codice articolo ria9789401049009_new

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 230,02
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 10,50
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

M. D. Pashley
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Taschenbuch
Print on Demand

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling. 272 pp. Englisch. Codice articolo 9789401049009

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 233,26
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 11,00
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 2 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura

Da: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. Codice articolo ABLIING23Apr0412070054958

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 204,45
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 64,66
Da: U.S.A. a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura

Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.

Valutazione del venditore 4 su 5 stelle 4 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. pp. 272 Index. Codice articolo 26323870124

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 284,76
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 7,76
Da: U.S.A. a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 4 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Salemink, H. W. M. (Editor)/ Pashley, M. D. (Editor)
Editore: Springer Verlag, 2013
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Paperback

Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Paperback. Condizione: Brand New. 272 pages. 9.25x6.10x0.62 inches. In Stock. Codice articolo x-9401049009

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 301,20
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 11,68
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 2 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura
Print on Demand

Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. Print on Demand pp. 272. Codice articolo 322593395

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 303,15
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 10,34
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 4 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Salemink H.W.M Pashley Michael
Editore: Springer, 2012
ISBN 10: 9401049009 ISBN 13: 9789401049009
Nuovo Brossura
Print on Demand

Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 272. Codice articolo 18323870118

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 312,32
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 7,95
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 4 disponibili

Aggiungi al carrello

Vedi altre 1 copie di questo libro

Vedi tutti i risultati per questo libro