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24 cm 558 Seiten. Kunsteinband mit OU. gebrauchsspuren, papiergebräunte seiten, OU mit starken Läsuren. (BE828x). "die in der Vergangenheit durchlaufene entwicklung des Transistors geschah in starkem Maße unter Beibehaltung des Minoritätssteuerprinzips und ist durch die etappen: Flächentransistor mit homogener Basis, Drift-, Mesa-, epitaxial- und Manartransistor gekennzeichnet. das kann bereits heute als wahrscheinlich gelten, daß diese Konstruktionen gewisse Vollkommenheit besitzen und die Grenzen der Knt wicklung abzusehen sind, falls nicht bisher unbekannte Fffekte Verlagerungen bringen. Gewiß werden sich durch Anwendung neuer Materialien und sonstige Verbesserungen neue Typen mit besseren Kennwerten und eigenschaffen herstellen lassen, doch an der prinzipiellen Wirkungsweise wird sich wenig ändern.PHYSIKALISCHE GRUNDLAGE DES TRANSISTORS Leitungsmechanismus im reinen halbleitorkristall (Eigenleitung, Beweglichkeit. Leitfähigkeit) Leitungsinechanismns im verunreinigten halbleiterkristall,Donatoren und Akzeptoren,Überschußelektronenleitung. Elektronenleitung .Mangelelektronenleitung. Defektelektronenleitung,Beweglichkeit. Leitfähigkeit ,Neutralitätsbedingung ,Das gestörte thermodynamische Gleichgewicht,Ladungsträgerbewegung ,Transportgleichung ,Kontinuitätsgleichung Störung der Majoritälskonzentration (Relaxationszeit) ,Störung der Minnrilätskonzentralion (Generation, Rekombination. Lebensdauer ., pn-Übergang,Trägerverleiluiig an den Bändern der Sperrschicht hei äußerer Spannung,Konzentration der Minoritäten in den Bahngebieten ,Sperrschicht breite als funkt ion der Sperrschichtspannung .,Einfluß weiterer Effekte auf das Verhalten des pn- Übergangs,Oberflächeneinfluß.,Mehrdimensionale Trägerbewegung.,Generation und Rekombination von Ladungsträgerpaaren in der Sperrschicht .,Durchbrucheffekte .,Zenerdurchbruch ,Lawinendurchbruch., Diffusionstransistor. Statisches Verhalten,Übergang von der pn-Zone zur pnp-Zonenfolge,Trägerkonzentration des Diffusionstransistors. Bctriebsbereiche. Ladungsverhältnisse in der Basis .,Strom-Spannungs-Gleichungen des Transistors,Strom-Spannungs-Gleichungen unter Benutzung von Meßgrößen,Stromaufteilung innerhalb des Basisraums. Ersatzschaltung, Dynamisches Verhalten des Diffusionstransistors,Minoritätskonzentration und Strom-Spannungs-Zusammenhang bei sinusförmiger Änderung der Sperrschichtspannung,Einfluß der Sperrschichtmodulation auf das Diffusionsmodell ( Karlyeffekt),Ersatzschaltung des inneren Transistors.,Raumladekapazitäten,Drifttransistor., Minoritätskonzentration und Strom-Spannungs-Zusammenhang bei sinusförmigen Sperrschichtspannungen,Berücksichtigung der Sperrschichtmodulation,Der äußere Transistor .,Einfluß der Bahnwiderstände ,Basiswiderstandsmodulation .,Besondere physikalische Effekte .,Oberflächenrekombination. Generation und Rekombination von Ladungsträgern in der Sperrschicht.,hochinjektionsverhalten,vorgängeim Basisraum bei hochinjektion . Emitterwirkungsgrad. Transportfaktor . Stromverstärkung . Randverdrängung der injizierten Ladungsträger Sperrschichtmodulation. Sperrschichtdurchgriff Kollektormultiplikationseffekte . Laufzeit durch die Kollektorsperrschicht . Kollektorvolumenvervielfachung . Lawinenvervielfachung . Rückinjektion (Thyristoreffekt) Kollektorsperrschiehtmodifikation. . Emitter-Dip-Effekt. Druckeinpfindlichkeit von pn-Übergüngen und Transistoren. Technische Ausführungsformen von Flächentransistoren . Ausgangsmaterialien . Herstellungsverfahren. Legierungsverfahren . Ziehverfahren. Diffusionsverfahren Elektrochemisches verfahren. . Epitaxialtechnik . Planartechnik Bauformen. Ausführungsformen. Stabbauform Plättchenbauform . Mesabauform. Ausführungsformen. Hochfrequenz-, Leistungs- und TECHNISCHE EIGENSCHAFTEN UND KENNWERTE Kennlinienfelder der Basisschaltung. Ausgangskennlinienfeld,eingangskennlinienfeld Stromübertrngungskennlinienfeld,Kennlinienfelder der . 800 Gramm. Codice articolo 592132939
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