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Lingua: Francese
Editore: Editions universitaires europeennes, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Editore: Editions universitaires europeennes 2010-12-14, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Lingua: Francese
Editore: Éditions universitaires européennes, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Lingua: Francese
Editore: Éditions universitaires européennes, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance | Les transistors à effet de champ pour la bande de fréquence 26-40 GHz | Christophe Gaquiere | Taschenbuch | 308 S. | Französisch | 2010 | Éditions universitaires européennes | EAN 9786131554520 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This book presents the latest research roadmaps and achievements from the European ecosystem (industry, research, and academia) driving the development of future wireless, wired, optical and satcom applications utilising the mm-wave and sub-THz bands.
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Lingua: Francese
Editore: Éditions Universitaires Européennes Dez 2010, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. 308 pp. Französisch.
Lingua: Francese
Editore: Éditions Universitaires Européennes Dez 2010, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -L''amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d''une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d''améliorations. L''étude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l''aide d''un banc à charge active permettant d''avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 308 pp. Französisch.
Lingua: Francese
Editore: Éditions Universitaires Européennes, 2010
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.