Analysis and Simulation of Heterostructure Devices - Rilegato
Libro 15 di 17: Computational Microelectronics
Sinossi
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.
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Contenuti
List of Acronyms List of Symbols Introduction State-of-the-Art of Materials, Device Modeling, and RF Devices Physical Models RF Parameter Extraction for HEMTs and HBTs Heterojunction Bipolar Transistors High Electron Mobility Transistors Novel Devices Appendix: Benchmark Structures References
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics)
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gebundene Ausgabe. Condizione: Gut. 289 Seiten; Das hier angebotene Buch stammt aus einer teilaufgelösten wissenschaftlichen Bibliothek und trägt die entsprechenden Kennzeichnungen (Rückenschild, Instituts-Stempel.); Schnitt und Einband sind etwas staubschmutzig; der Buchzustand ist ansonsten ordentlich und dem Alter entsprechend gut. Text in ENGLISCHER Sprache! Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 700. Codice articolo 1608006
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics)
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Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch. Codice articolo 9783211405376
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Gebunden. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. First full and comprehensive modeling of relevant compound semiconductorsVerified by precise simulation of real-state-of-the-art devices in over 25 different simulation examplesBridges the gap between theory and applications with a large nu. Codice articolo 4487893
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Buch. Condizione: Neu. Analysis and Simulation of Heterostructure Devices | Rüdiger Quay (u. a.) | Buch | xx | Englisch | 2003 | Springer | EAN 9783211405376 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand. Codice articolo 102505069
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