Risultati della ricerca per Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum...
Immagini fornite dal venditore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Editore:
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018, 2018
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Taschenbuch
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys. 100 pp. Englisch. Codice articolo 9786139911684
Compra nuovo
EUR 54,90
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: 2 disponibili
Foto dell'editore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Brossura
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. Codice articolo 26394698137
Compra nuovo
EUR 87,46
Spedizione EUR 3,49
Spedito in U.S.A.
Spedito in U.S.A.
Quantità: 4 disponibili
Immagini fornite dal venditore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Editore:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Brossura
Da: moluna, Greven, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Ahmadi Samane SadatSamaneh Sadat Ahmadi, a doctoral student in physics, is working as a research director and teacher at the Islamic Azad University of Parand. Dr. Seyyed Ali Hashemizadeh, faculty member of the Physics Department at . Codice articolo 385876959
Compra nuovo
EUR 45,45
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: Più di 20 disponibili
Foto dell'editore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Brossura
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. Print on Demand. Codice articolo 401678918
Compra nuovo
EUR 89,39
Spedizione EUR 7,62
Spedito da Regno Unito a U.S.A.
Spedito da Regno Unito a U.S.A.
Quantità: 4 disponibili
Foto dell'editore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Brossura
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. PRINT ON DEMAND. Codice articolo 18394698131
Compra nuovo
EUR 89,37
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: 4 disponibili
Immagini fornite dal venditore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Editore:
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018, 2018
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Taschenbuch
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Englisch. Codice articolo 9786139911684
Compra nuovo
EUR 54,90
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: 1 disponibili
Immagini fornite dal venditore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Editore:
LAP LAMBERT Academic Publishing
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Taschenbuch
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys. Codice articolo 9786139911684
Compra nuovo
EUR 55,56
Spedizione EUR 60,84
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: 1 disponibili
Immagini fornite dal venditore
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Editore:
LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 6139911680
ISBN 13: 9786139911684
Nuovo
Taschenbuch
Da: preigu, Osnabrück, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Taschenbuch. Condizione: Neu. Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well | Samane Sadat Ahmadi (u. a.) | Taschenbuch | 100 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139911684 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu. Codice articolo 114870414
Compra nuovo
EUR 47,90
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.
Spedito da Germania a U.S.A.
Quantità: 5 disponibili