Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

Lingua: inglese

Editore: Springer Vienna Dez 2003, 2003

3211405372 / 9783211405376

Serie: Libro 15 di 17 - Computational Microelectronics

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch.

Codice articolo 9783211405376

Titolo
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autore
Rüdiger Quay
Editore
Springer Vienna Dez 2003
Anno di pubblicazione
2003
Condizione
Neu
Rilegatura
Buch
Lingua
inglese
ISBN 10
3211405372
ISBN 13
9783211405376
Peso dell'articolo
653 grammi
Dimensioni
241x160x23 mm
Serie
Libro 15 di 17: Computational Microelectronics

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Bergisch Gladbach, Germania

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