Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

Lingua: inglese

Editore: Springer Vienna Dez 2012, 2012

3709171938 / 9783709171936

Serie: Libro 15 di 17 - Computational Microelectronics

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch.

Codice articolo 9783709171936

Titolo
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autore
Rüdiger Quay
Editore
Springer Vienna Dez 2012
Anno di pubblicazione
2012
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
3709171938
ISBN 13
9783709171936
Peso dell'articolo
493 grammi
Dimensioni
235x155x18 mm
Serie
Libro 15 di 17: Computational Microelectronics

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Bergisch Gladbach, Germania

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