CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse

Lingua: francese

Editore: Editions Notre Savoir Nov 2024, 2024

6208332001 / 9786208332006

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken Französisch.…

Codice articolo 9786208332006

Titolo
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Autore
Rohin Gupta
Editore
Editions Notre Savoir Nov 2024
Anno di pubblicazione
2024
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
francese
ISBN 10
6208332001
ISBN 13
9786208332006
Peso dell'articolo
149 grammi
Dimensioni
220x150x6 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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