Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy

Lingua: inglese

Editore: BIBLIOSCHOLAR, 2012

1288368518 / 9781288368518

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KlappentextrnrnMicro-Raman ( Raman) spectroscopy is an e cient, non-destructive techniquewidely used to determine the quality of semiconductor materials and microelectrome-chanical systems. This work characterizes the stress distribution in wurt.

Codice articolo 6558342

Titolo
Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy
Autore
Parada, Francisco E.
Editore
BIBLIOSCHOLAR
Anno di pubblicazione
2012
Condizione
New
Rilegatura
Brossura
Lingua
inglese
ISBN 10
1288368518
ISBN 13
9781288368518

moluna

Greven, Germania

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