Circuit-Technology Co-Optimization of SRAM Design in Advanced CMOS Nodes

Lingua: inglese

Editore: Springer, Palgrave Macmillan Dez 2024, 2024

3031761081 / 9783031761089

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Modern computing engines-CPUs, GPUs, and NPUs-require extensive SRAM for cache designs, driven by the increasing demand for higher density, performance, and energy efficiency. This book delves into two primary areas within ultra-scaled technology nodes: (1) advancing SRAM bitcell scaling and (2) exploring innovative subarray designs to enhance power-performance-area (PPA) metrics across technology nodes.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 308 pp. Englisch.

Codice articolo 9783031761089

Titolo
Circuit-Technology Co-Optimization of SRAM Design in Advanced CMOS Nodes
Autore
Hsiao-Hsuan Liu
Editore
Springer, Palgrave Macmillan Dez 2024
Anno di pubblicazione
2024
Condizione
Neu
Rilegatura
Buch
Lingua
inglese
ISBN 10
3031761081
ISBN 13
9783031761089
Peso dell'articolo
627 grammi
Dimensioni
241x160x23 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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