Conception d'une SRAM à faible fuite

Lingua: francese

Editore: Editions Notre Savoir Apr 2023, 2023

620591526X / 9786205915264

Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germaniabuchversandmimpf2000

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -La plupart des recherches sur la consommation d'énergie des circuits se sont concentrées sur la puissance de commutation et la puissance dissipée par le courant de fuite a été un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d'énergie, en particulier dans les mémoires haut de gamme. Pour réduire la puissance de fuite dans la SRAM, la méthode de gestion de la puissance peut être appliquée et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contrôler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adoptées ; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inférieures et les tensions de seuil supérieures contrôlent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut être choisie en fonction du courant le plus défavorable et est appliquée à chaque bloc.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Französisch.

Codice articolo 9786205915264

Titolo
Conception d'une SRAM à faible fuite
Autore
Rajan Prasad Tripathi
Editore
Editions Notre Savoir Apr 2023
Anno di pubblicazione
2023
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
francese
ISBN 10
620591526X
ISBN 13
9786205915264
Peso dell'articolo
102 grammi
Dimensioni
220x150x4 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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