Copper Interconnect Technology
Lingua: inglese
Editore: Springer New York Aug 2009, 2009
- Rilegato
- Nuovo
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Since overall circuit performance has depended primarily on transistor properties, previous efforts to enhance circuit and system speed were focused on transistors as well. During the last decade, however, the parasitic resistance, capacitance, and inductance associated with interconnections began to influence circuit performance and will be the primary factors in the evolution of nanoscale ULSI technology. Because metallic conductivity and resistance to electromigration of bulk copper (Cu) are better than aluminum, use of copper and low-k materials is now prevalent in the international microelectronics industry. As the feature size of the Cu-lines forming interconnects is scaled, resistivity of the lines increases. At the same time electromigration and stress-induced voids due to increased current density become significant reliability issues. Although copper/low-k technology has become fairly mature, there is no single book available on the promise and challenges of these next-generation technologies. In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology. 444 pp. Englisch.…
Codice articolo 9781441900753
- Titolo
- Copper Interconnect Technology
- Autore
- Tapan Gupta
- Editore
- Springer New York Aug 2009
- Anno di pubblicazione
- 2009
- Condizione
- Neu
- Rilegatura
- Buch
- Lingua
- inglese
- ISBN 10
- 1441900756
- ISBN 13
- 9781441900753
- Peso dell'articolo
- 910 grammi
- Dimensioni
- 241x160x32 mm
Since overall circuit performance has depended primarily on transistor properties, previous efforts to enhance circuit and system speed were focused on transistors as well. During the last decade, however, the parasitic resistance, capacitance, and inductance associated with interconnections began to influence circuit performance and will be the primary factors in the evolution of nanoscale ULSI technology. Because metallic conductivity and resistance to electromigration of bulk copper (Cu) are better than aluminum, use of copper and low-k materials is now prevalent in the international microelectronics industry. As the feature size of the Cu-lines forming interconnects is scaled, resistivity of the lines increases. At the same time electromigration and stress-induced voids due to increased current density become significant reliability issues. Although copper/low-k technology has become fairly mature, there is no single book available on the promise and challenges of these next-generation technologies. In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology.
"Riassunto" può appartenere a un’altra edizione di questo titolo.
Dalla quarta di copertina
Since overall circuit performance has depended primarily on transistor properties, previous efforts to enhance circuit and system speed were focused on transistors as well. During the last decade, however, the parasitic resistance, capacitance, and inductance associated with interconnections began to influence circuit performance and will be the primary factors in the evolution of nanoscale ULSI technology. Because metallic conductivity and resistance to electromigration of bulk copper (Cu) are better than aluminum, use of copper and low-k materials now prevails in the international microelectronics industry. However, as the feature size of the Cu-lines forming interconnects is scaled, resistivity of the lines increases. At the same time electromigration and stress-induced voids due to increased current density become significant reliability issues. Although copper/low-k technology has become fairly mature, there is no single book available on the promise and challenges of these next-generation technologies. In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology.
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BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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