Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom

Lingua: tedesco

Editore: Verlag Unser Wissen Apr 2023, 2023

6205915243 / 9786205915240

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Deutsch.…

Codice articolo 9786205915240

Titolo
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Autore
Rajan Prasad Tripathi
Editore
Verlag Unser Wissen Apr 2023
Anno di pubblicazione
2023
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
tedesco
ISBN 10
6205915243
ISBN 13
9786205915240
Peso dell'articolo
102 grammi
Dimensioni
220x150x4 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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