Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses

Lingua: inglese

Editore: Springer Nature Singapore Dez 2018, 2018

9811347883 / 9789811347887

Serie: Libro 511 di 797 - Springer Theses

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system. 120 pp. Englisch.

Codice articolo 9789811347887

Titolo
Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Autore
Tae-Ho Lee
Editore
Springer Nature Singapore Dez 2018
Anno di pubblicazione
2018
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
9811347883
ISBN 13
9789811347887
Peso dell'articolo
195 grammi
Dimensioni
235x155x7 mm
Serie
Libro 511 di 797: Springer Theses

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