Intelligent Engineering of Advanced Surrounding Gate Tunnel FETs

Lingua: inglese

Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2026, 2026

6630209818 / 9786630209815

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book explores the design and optimization of advanced Surrounding Gate Tunnel Field-Effect Transistors (SGTFETs) for future low-power semiconductor technologies. It presents analytical models and TCAD-based investigations of conventional SGTFETs, Triple Material SGTFETs (TMSGTFETs), and III-V High-k SGTFETs, with emphasis on improving switching performance, reducing leakage, and enhancing energy efficiency. The work integrates evolutionary multiobjective optimization using NSGA-III and machine-learning-assisted Pareto Active Learning to identify optimal trade-offs among delay, dynamic power, on-off current ratio, switching speed, and device variability. By combining device physics, computational intelligence, and optimization techniques, the book offers a scalable framework for the development of high-performance nanoscale transistor architectures suitable for next-generation integrated circuits and emerging nanoelectronic applications. 240 pp. Englisch.…

Codice articolo 9786630209815

Dati bibliografici

Titolo
Intelligent Engineering of Advanced Surrounding Gate Tunnel FETs
Autore
Charumathi V
Editore
LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2026
Anno di pubblicazione
2026
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
6630209818
ISBN 13
9786630209815
Peso dell'articolo
375 grammi
Dimensioni
220x150x15 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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