Introduction au MOSFET à double porte sans jonction

Lingua: francese

Editore: Editions Notre Savoir Apr 2022, 2022

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Les transistors à effet de champ (FET) fabriqués dans les circuits intégrés comportent principalement des jonctions. En raison de la réduction de l'échelle des dispositifs, la fabrication de ces jonctions est devenue progressivement plus difficile. En outre, il est impératif d'avoir un gradient de concentration de dopage élevé pour le bon fonctionnement du dispositif. Récemment, les chercheurs se sont concentrés sur de nouveaux dispositifs sans jonction et sans gradient de dopage. L'une de ces structures est le MOSFET à double grille sans jonction (JL-DG MOSFET) qui a montré une meilleure performance contre l'effet de canal court, à savoir l'abaissement de la barrière induite par le drain (DIBL), les changements de la tension de seuil, etc.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 60 pp. Französisch.

Codice articolo 9786204600000

Titolo
Introduction au MOSFET à double porte sans jonction
Autore
Gaurav Dhiman
Editore
Editions Notre Savoir Apr 2022
Anno di pubblicazione
2022
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
francese
ISBN 10
6204600001
ISBN 13
9786204600000
Peso dell'articolo
107 grammi
Dimensioni
220x150x4 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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