MOSFET Theory and Design
Lingua: inglese
Editore: Oxford University Press Inc, 1998
- Brossura
- Nuovo

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This volume presents in-depth the theory and design of the MOSFET device, catering to its dominant position in today's microelectronics technology. It builds examples from a simple level to more complex real-life cases and includes numerous problem sets and original analyses. Num Pages: 272 pages, numerous line drawings. BIC Classification: TJFD5. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 234 x 154 x 13. Weight in Grams: 375. . 1998. Paperback. . . . .
Codice articolo V9780195116427
- Titolo
- MOSFET Theory and Design
- Autore
- Warner, R.M.; Grung, B. L.
- Editore
- Oxford University Press Inc
- Anno di pubblicazione
- 1998
- Condizione
- New
- Rilegatura
- Brossura
- Lingua
- inglese
- ISBN 10
- 0195116429
- ISBN 13
- 9780195116427
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Contenuti
- Chapter 1 Basic MOSFET Theory
- 1-1: Field-Effect Transistors
- 1-2: Mosfet Definitions
- 1-3: Rudimentary Analysis
- 1-4: Current-Voltage Equations
- 1-5: Universal Transfer Characteristics
- 1-6: Transconductance
- 1-7: Inverter Options
- Chapter 2 MOS-Capacitor Phenomena
- 2-1: Oxide-Silicon Boundary Conditions
- 2-2: Approximate Field and Potentials Profiles
- 2-3: Accurate Band Diagram
- 2-4: Barrier-Height Difference
- 2-5: Interfacial Charge
- 2-6: Oxide Charge
- 2-7: Calculating Threshold Voltage
- Chapter 3 MOS-Capacitor Modeling
- 3-1: Exact-Analytic Surface Modeling
- 3-2: Comparing MOS and Junction Capacitances
- 3-3: Small-Signal Equivalent Circuits
- 3-4: Ideal Voltage-Dependent Capacitance
- 3-5: Real Voltage-Dependent Capacitance
- 3-6: Physics of MOS-Capacitance Crossover
- 3-7: Analysis of MOS-Capacitance Crossover
- Chapter 4 Improved MOSFET Theory
- 4-1: Channel-Junction Interactions
- 4-2: Ionic Charge Model
- 4-3: Body Effect
- 4-4: Advanced Long-Channel Models
- Chapter 5 SPICE Models
- 5-1: Level-2 Parameters
- 5-2: Level-2 Model
- 5-3: Small-Signal Applications of Model
- 5-4: Large-Signal Applications of Model
- Chapter 6 MOSFET-BJT Performance Comparisons
- 6-1: Simple-Theory Transconductance Comparison
- 6-2: Subthreshold Transconductance Theory
- 6-3: Calculating Maximum MOSFET gm/out
- 6-4: Transconductance versus Input Voltage
- 6-5: Physics of Subthreshold Transconductance
- Chapter 7 MOSFET Design for Today's ICs
- 7-1: Survey of Recent Models [e.g., BSIM 1-3]
- 7-2: Solving Key Problems [e.g., subthreshold, hot-electron, short-channel effects]
- 7-3: Additional Circuit-Design Issues [e.g., noise analysis, temperature effects, characteristic matching]
- 7-4: Related Devices [e.g., MODFET, JFET]
- 7-5: Future Trends in Device Simulation
- Appendixes
- Tables
- References
- Topics for Review
- Analytic Problems
- Computer Problems
- Design Problems
- Symbol Index
- Subject Index
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Conor Kenny
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