The Landolt-B�rnstein subvolumes III/44A and III/44B update the existing 8 volumes III/41 about Semiconductors and contain new Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI, IV, VI and II-VI Compounds. The text, tables figures and references are provided in self-contained document files, each one dedicated to a substance and property. The first subvolume III/44A contains a "Systematics of Semiconductor Properties", which should help the non-specialist user to understand the meaning of the material parameters. Hyperlinked lists of substances and properties lead directly to the documents and make the electronic version an easy-to-use source of semiconductor data. In the new updates III/44A and III/44B, links to existing material in III/41 or to related documents for a specific substance are also included.

Contenuti

AgBr: heat capacity.- AgBr: thermal conductivity, thermal diffusivity.- AgBr: heat of sublimation.- AgBr: effective masses.- AgBr: lattice constants.- AgBr: lattice constants.- AgBr: mean square relative displacements.- AgBr: bulk moduli, elastic constants.- AgBr: compressibility, bulk modulus.- AgBr: phonon dispersion.- AgBr: Debye-Waller factor.- AgBr: elastic moduli.- AgBr: dielectric function.- AgIxBr1–x: electrical conductivity, thermoelectric power.- AgCl: heat capacity.- AgCl: heat of sublimation.- AgCl: thermal conductivity, thermal diffusivity.- AgCl: band structure, electron density of states.- AgCl: effective masses.- AgCl: energy gaps, density of states.- AgCl: lattice constants.- AgCl: lattice constants.- AgCl: phonon dispersion.- AgCl: bulk moduli, elastic constants.- AgCl: compressibility, bulk modulus.- AgCl: elastic moduli.- AgCl: Debye-Waller factor.- AgCl: dielectric function.- AgCl: impurity g-factors, hyperfine structure constants.- AgF: lattice constants.- AgF: heat of sublimation.- ?-AgI: bulk moduli.- ?-AgI: lattice constants.- ?-AgI: mean square relative displacements.- AgI: phase transitions, p-T phase diagram.- AgI: heat of sublimation.- AgI: lattice constants.- AgI: compressibility, bulk modulus.- AgI: phonon dispersion.- AgI: Debye-Waller factor.- AgI: elastic moduli, mode Gr�neisen parameters.- ?-AgI: ion diffusion coefficient.- AlAs: dielectric constant, refractive index.- AlAs: direct and indirect energy gaps.- AlAs: effective mass parameters.- AlAs: electron density of states, energies at symmetry points.- AlAs: energy gaps.- AlGaxAs1–x: heat capacity.- AlGaxAs1–x: linear thermal expansion coefficient.- AlGaxAs1–x: thermal conductivity, thermal diffusivity.- AlxGa1–xAs: crossover composition energy at symmetry points.- AlxGa1–xAs: electron self energy, electron broadening parameter.- AlxGa1–xAs: lattice constant.- AlxGa1–xAs: elastic constants, Poisson ratio.- AlxGa1–xAs: refractive index, dielectric constant.- AlxGayIn1–x–yAs: bond length.- AlxGayIn1–x–yAs: energy gap.- AlxGayIn1–x–yAs: Raman spectra.- AlxGayIn1–x–yAs: hole mobility.- AlxGayIn1–x–yAs: photoluminescence linewidth.- AlxGa1–xAsySb1–y: internal strain parameter.- AlxGa1–xAsySb1–y: thermal conductivity.- AlxGa1–xAsySb1–y: band structure.- AlxGa1–xAsySb1–y: effective mass parameters.- AlxGa1–xAsySb1–y: energy gaps.- AlxGa1–xAsySb1–y: elastic moduli.- AlxGa1–xAsySb1–y: dielectric constant.- AlxGa1–xAsySb1–y: photoluminescence, absorption coefficient.- AlxIn1–xAs: critical point energies.- AlxIn1–xAs: Raman data.- Al1–xMnxAs: crystal structure, lattice parameter.- Al1–xMnxAs: resistance.- Al1–xMnxAs: magnetic phases.- AlAsxSb1–x: thermal conductivity.- AlxGayIn1–x–yP: bond length.- AlxGa1–xP: lattice parameters.- AlxGa1–xP: critical point energies, interband transition energies.- AlxGa1–xP: electron self energy.- AlxGa1–xP: exciton energies.- AlxGa1–xP: bound exciton data.- AlxGa1–xP: photoluminescence spectra.- AlxGa1–xPySb1–y: elastic moduli.- AlxGa1–xPySb1–y: internal strain parameter.- AlxIn1–xPySb1–y: internal strain parameter.- AlxIn1–xPySb1–y: elastic moduli.- BxGa1–xAs: energy gaps, energy at symmetry points.- BxGa1–xAs: lattice parameter.- BxGa1–x–yInyAs: critical point energies.- BxGa1–x–yInyAs: electron effective mass.- BxGa1–x–yInyAs: energy gaps.- GaAs1–xBix: direct energy gap, intraband transition energies.- GaAs1–xBix: energy gaps, critical point energies.- GaAs1–xBix: spin orbit splitting energy.- GaAs1–xBix: spin orbit splitting energy.- BxIn1–xAs: lattice parameter.- Ga1–xCrxAs: crystal structure, lattice parameter.- Ga1–xCrxAs: conductivity, carrier concentration.- Ga1–xCrxAs: Curie temperature, magnetic circular dichroism.- Ga1–xFexAs: crystal structure, lattice parameter.- Ga1–xFexAs: conductivity, magnetoresistance.- Ga1–xFexAs: magnetization.- GaAs: heat capacity.- GaAs: spin-Hall conductivity, transversal spin drift velocity.- GaAs: phonon density of states.- GaAs: Debye temperatures.- GaAs: spin transport data, spin lifetime, spin drift velocity.- GaAs: photoemission data.- GaAs: radiative recombination coefficient.- GaxIn1–xAs: effective Land� g factors.- GaxIn1–xAs: electron effective mass.- GaxIn1–xAs: energy gaps.- GaxIn1–xAs: parameters of k�p models.- GaxIn1–xAs: critical point energies.- GaxIn1–xAs: phonon wave numbers.- GaxIn1–xAs: carrier lifetime.- GaxIn1–xAs: spin transport data.- GaxIn1–xAs: impact ionization rate.- GaxIn1–xAs: dielectric function.- GaxIn1–xAs: Auger recombination coefficient and lifetime.- GaxIn1–xAs: radiative recombination coefficients.- GaxIn1–xAsyP1–y: energy gaps.- GaxIn1–xAsyP1–y: energy gaps.- GaxIn1–xAsyP1–y: Auger recombination coefficient.- GaxIn1–xAsyP1–y: radiative recombination coefficients.- GaxIn1–xPySbzAs1–y–z: band structure, density of states.- GaxIn1–xPySbzAs1–y–z: energy gaps.- GaxIn1–xPySbzAs1–y–z: transverse effective charge, dielectric constants.- GaxIn1–xAsySb1–y: lattice constant.- GaxIn1–xAsySb1–y: thermal conductivity.- GaxIn1–xAsySb1–y: critical point energies.- GaxIn1–xAsySb1–y: energy gaps.- GaxIn1–xAsySb1–y: energy gap.- GaxIn1–xAsySb1–y: absorption coefficient.- GaxIn1–xAsySb1–y: absorption coefficient.- GaxIn1–xAsySb1–y: Auger recombination coefficient, nonradiative lifetime.- GaxIn1–xAsySb1–y: dielectric constant.- GaxIn1–xAsySb1–y: dielectric constant.- GaxIn1–xAsySb1–y: refractive index.- Ga1–xMnxAs: crystal structure, lattice parameter.- Ga1–xMnxAs: band structure, direct energy gap.- Ga1–xMnxAs: spin polarization.- Ga1–xMnxAs: conductivity, resistivity, magnetoresistance, Hall effect.- Ga1–xMnxAs: exchange integrals, Curie temperature, magnetic anisotropy.- Ga1–xMnxAs: magnetic circular dichroism, Verdet constant.- GaAs1–xSbx: direct energy gap, spin orbit splitting energy.- GaAsxSb1–x: energy gaps.- GaAsxSb1–x: photoluminescence.- GaAsxSb1–x: refractive index.- InAs: total energies, phase diagram.- InAs: band structure.- InAs: critical point energies.- InAs: Dresselhaus spin splitting parameter.- InAs: spin orbit splitting energies.- InAs: effective mass parameters.- InAs: energies at symmetry points.- InAs: effective Land� g factors.- InAs: interband transition energies.- InAs: energy gap.- InAs: phonon frequencies.- InAs: mobility.- InAs: electron spin lifetime.- InAs: drift velocity.- InAs: dielectric constant.- InAs: absorption coefficient, reflectivity.- InAs: extinction coefficient, refractive index.- InAs: higher order optical susceptibilities.- In1–xMnxAs: crystal structure, lattice parameter.- In1–xMnxAs: direct gap, effective masses.- In1–xMnxAs: conductivity, magnetoresistance, Hall resistivity.- In1–xMnxAs: carrier concentration, mobility.- In1–xMnxAs: magnetic circular dichroism.- In1–xMnxAs: magnetic phases, exchange integrals, Curie temperature, magnetic anisotropy-->In1–xMnxAs: magnetic phases, exchange integrals, Curie temperature, magnetic anisotropy.- InAsxSb1–x: critical point energies, broadening parameters.- InAsxSb1–x: energy gaps.- InxAs1–xSb: transverse effective charge.- InAsxSb1–x: sound velocities.- InAsxSb1–x: elastic moduli.- InAsxSb1–x: dielectric constant.- InBixSb1–x: transverse effective charge.- CuCl1–xBrx: phonon wavenumbers.- CuCl1–xBrx: electron mobility, drift velocity.- CuBr: p-T phase diagram, transition pressure.- CuBr: interionic distance.- CuBr: heat of sublimation.- ?-CuBr: biexciton and trion data.- ?-CuBr: deformation potentials.- ?-CuBr: energy gaps, exciton energies in dependence on temperature.- CuBr: elastic moduli, effective charges.- CuBr: Gr�neisen parameters.- CuBr: phonon wavenumbers, damping constants, Gr�neisen parameters.- CuBr: phonon dispersion curves, phonon density of states.- CuBr: lattice constants.- ?-CuBr: mean square relative displacements.- CuBr: bulk modulus.- ?-CuBr: ion transport properties.- ?-CuBr: electron mobility, drift velocity.- ?-CuBr: dielectric constants.- Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: energy gap.- Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: micro hardness.- Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: intrinsic carrier concentration, conductivity, Hall coefficient, mobility.- Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: activation energy.- Hg1–xCdxTe: activation energy.- Hg1–xCdxTe: mobility, carrier concentration.- Hg1-xCdxTe: free-carrier absorption.- Hg1–xCdxTe: luminescence, reflectance, absorption, and refractive index.- Hg1-xCdxTe: reflectance.- Hg1-xCdxTe: two-photon absorption constant.- CdO: band structure, density of states.- CdO: energy gaps.- CdO: mean inner potential.- CdO: photoconductivity, resistivity.- Zn1–xCdxO: energy gaps, dependence on temperature.- Zn1–xCdxO: resistivity.- CdS: phase transition, transition pressure.- CdS: exciton energies, exciton binding energies.- CdS: bound excitons.- CdS: defect formation energies.- CdS: resistivity.- CdS: conductivity, mobility.- CdSe: phase transition, transition pressure.- CdSe: energy gaps.- CdSe: dielectric constants.- CdSe: higher order optical susceptibilities.- Sn1–xCdxTe: hardness.- ZnxCd1–xS: energy gaps.- Cd1–xZnxS: resistivity.- CdTe: density of states.- CdTe: energy gaps, temperature dependence.- CdTe: band structure.- CdTe: impurity complexes.- CdTe: impurity complexes.- CdTe: ionization energies.- CdTe: ionization energies.- CdTe: bound excitons.- CdTe: donor-acceptor pairs, free-to-bound transitions.- CdTe: emission energies.- CdTe: bound excitons.- CdTe: Hall mobility.- CdTe: mobility.- CdTe: resistivity.- CdTe: conductivity, resistivity.- CdTe: dielectric constants.- CdTe: higher order optical susceptibilities.- Cd1–xZnxTe: enthalpy.- Cd1–xZnxTe: energy gaps.- Cd1–xZnxTe: donor acceptor pairs.- Cd1–xZnxTe: ionization energies.- Cd1–xZnxTe: resistivity, mobilities, Hall coefficient.- ?-CuCl: exciton energies.- ?-CuCl: phonon wavenumbers.- CuCl: mean square relative displacements.- CuCl: phonon dispersion.- CuCl: elastic moduli.- SiC: valence band offsets.- SiC: spontaneous polarization.- SiC: absorption coefficient.- SiC: Auger recombination coefficient.- SiC: exciton gap.- ?-SiC: nonlinear optical coefficients.- SiC: refractive index.- CuF: heat of sublimation.- CuF: lattice constants.- CuI: phase transitions, p-T phase diagram.- CuI: heat of sublimation.- ?-CuI: biexciton and trion data.- ?-CuI: exciton energies.- CuI: force constants, elastic moduli, effective charges.- CuI: bulk modulus.- CuI: phonon dispersion.- ?-CuI: phonon wavenumbers.- CuI: lattice parameters.- CuI: mode Gr�neisen parameters.- ?-CuI: mean square displacement.- CuI: ion diffusion coefficient.- ?-CuI: electron mobility, drift velocity.- GaxIn1–xP: elastic moduli.- GaxIn1–xP: transverse effective charge.- Ga1–xMnxSb: crystal structure.- Ga1–xMnxSb: conductivity, magnetoresistance, Hall resistivity.- Ga1–xMnxSb: Curie temperature, magnetic anisotropy.- GaP: phonon density of states.- Hg1–xMnxTe: energy gaps, effective masses.- Hg1–xMnxTe: ionization energies.- Hg1–xMnxTe: mobility, conductivity and Hall coefficient.- Hg1–xMnxTe: absorption, reflectivity.- HgS: point/space groups.- HgS: band structure, energy gaps.- HgS: energy gaps.- HgS: conductivity.- HgS: resistivity.- HgSe: band structure, electron density of states.- HgSe: transmittance.- HgTe: lattice parameters.- HgTe: point/space groups.- HgTe: band structure, density of states.- HgTe: conductivity, Hall coefficient.- HgTe: resisitivity, carrier mobility.- HgTe: Seebeck coefficient.- Hg1-xZnxTe: phonon frequencies.- Hg1-xZnxTe: reflectance.- In1–xMnxSb: crystal structure, lattice parameter.- In1–xMnxSb: spin polarization.- In1–xMnxSb: conductivity, Hall resistivity.- In1–xMnxSb: magnetic phases, Curie temperature, magnetic anisotropy.- InPxSb1–x: energy gaps.- InPxSb1–x: effective charges.- InPxSb1–x: phonon frequencies.- InPxSb1–x: dielectric constant.- InSb: interband transition energies.- InSb: spin orbit splittings.- InSb: Dresselhaus spin splitting parameter.- InSb: effective Land� g factors.- InSb: effective mass parameters.- InSb: energies at symmetry points.- InSb: band structure.- InSb: critical point energies.- InSb: spin transport data.- InSb: absorption coefficient, reflectivity.- InSb: Auger lifetime.- InSb: dielectric constant.- InSb: extinction coefficient, refractive index.- InSb: higher order optical susceptibilities.- MgyZn1–yTe1–xSex: energy gaps.- Zn1-xMgxTe: energy gaps, bowing parameter.- Zn1–xMgxSe: absorption.- ZnSe1–xOx: exciton energies, exciton binding energies.- ZnSxO1-x: energy gaps, bowing parameter.- ZnO: mean inner potential.- ZnO: dielectric constants.- ZnSe: phase transition, transition pressure.- ZnSe: spin-orbit splitting.- ZnSe: deformation potentials.- ZnSe: Compton profiles.- ZnSe: Compton scattering profiles.- ZnSe: bound exciton data.- ZnSe: bound excitons and electrons.- ZnSe: bound excitons.- ZnSe: deep impurities.- ZnSe: deep impurities, muonium data.- ZnSe: diffusion coefficient.- ZnSe: donor acceptor pairs.- ZnSe: donor-acceptor pairs, free-to-bound transitions.- ZnSe: ionization and excitation energies.- ZnSe: ionization and excitation energies.- ZnSe: Hall mobility.- ZnSe: conductivity.- ZnSe: dielectric constants.- ZnSxSe1-x: energy gaps, bowing parameter.- ZnSxSe1-x: refractive index, dielectric constants.- ZnS1-xTex: bound excitons.- ZnS: phase transition, transition pressure.- ZnS: spin-orbit splitting.- ZnS: deep impurities, muonium data.- ZnS: ionization energies.- ZnS: resistivity.- ZnS: dielectric constants.- ZnS: dielectric constants.- ZnS: dielectric constants.- ZnTe: spin-orbit splitting.- ZnTe: bound excitons.- ZnTe: donor-acceptor-pairs.- ZnTe: ionization energies.- ZnTe: ionization energies.- ZnTe: diffusion coefficient.- ZnTe: resistivity.- ZnTe: thermoelectric power.- ZnTe: refractive index, dielectric constants.

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Diritto di recesso

Se sei un consumatore, puoi esercitare il tuo diritto di recesso seguendo le istruzioni riportate di seguito. Per "consumatore" si intende qualsiasi persona fisica che agisca per fini che non rientrano nel quadro della sua attivit� commerciale, industriale, artigianale o professionale.

Informazioni relative al diritto di recesso

Diritto di recesso

Hai il diritto di recedere dal presente contratto, senza indicarne le ragioni, entro 14 giorni.

Il periodo di recesso scade dopo 14 giorni dal giorno in cui

tu acquisisci, o un terzo designato diverso dal vettore e da te acquisisce, il possesso fisico dell'ultimo bene o l'ultimo lotto o pezzo.

Per esercitare il diritto di recesso, sei tenuto a informare Brook Bookstore On Demand, Via Vannella Gaetani 27, Brandon Group, 80121, Napoli, NA, Italy, +39 3485885209, della tua decisione di recedere dal presente contratto tramite una dichiarazione esplicita (ad esempio lettera inviata per posta, fax o posta elettronica). A tal fine puoi utilizzare il modulo tipo di recesso, ma non e' obbligatorio. Puoi anche compilare e inviare elettronicamente il modulo tipo di recesso o qualsiasi altra esplicita dichiarazione sul nostro sito web, dalla sezione "Ordini" nel "Mio Account". Nel caso scegliessi questa opzione, ti trasmetteremo senza indugio una conferma di ricevimento su un supporto durevole (ad esempio per posta elettronica).

Per rispettare il termine di recesso, � sufficiente inviare la comunicazione relativa all'esercizio del diritto di recesso prima della scadenza del periodo di recesso.

Effetti del recesso

Se recedi dal presente contratto, ti saranno rimborsati tutti i pagamenti che hai effettuato a nostro favore, compresi i costi di consegna (ad eccezione dei costi supplementari derivanti dalla tua eventuale scelta di un tipo di consegna diverso dal tipo meno costoso di consegna standard da noi offerto). Potremo trattenere dal rimborso le somme derivanti da una diminuzione del valore del prodotto risultante da una tua non necessaria manipolazione.

I rimborsi verranno effettuati senza indebito ritardo e in ogni caso non oltre 14 giorni dal giorno in cui siamo stati informati della tua decisione di recedere dal presente contratto.

Detti rimborsi saranno effettuati utilizzando lo stesso mezzo di pagamento da te usato per la transazione iniziale, salvo che tu non abbia espressamente convenuto altrimenti; in ogni caso, non dovrai sostenere alcun costo quale conseguenza di tale rimborso. Il rimborso pu� essere sospeso fino al ricevimento dei beni oppure fino all'avvenuta dimostrazione da parte tua di aver rispedito i beni, se precedente.

Ti preghiamo di rispedire i beni o di consegnarli a Brook Bookstore On Demand, Brandon Brook C/O T.W.S. Express Courier srl Via Cesare Cant�, 6, 20092, Cinisello Balsamo, MI, Italy, +39 3485885209, senza indebiti ritardi e in ogni caso entro 14 giorni dal giorno in cui hai comunicato il tuo recesso dal presente contratto. Il termine � rispettato se rispedisci i beni prima della scadenza del periodo di 14 giorni. I costi diretti della restituzione dei beni saranno a tuo carico. Sei responsabile solo della diminuzione del valore dei beni risultante da una manipolazione del bene diversa da quella necessaria per stabilire la natura, le caratteristiche e il funzionamento dei beni.

Eccezioni al diritto di recesso

Il diritto di recesso non si applica in caso di:

fornitura di giornali, periodici e riviste ad eccezione dei contratti di abbonamento per la fornitura di tali pubblicazioni;
fornitura di contenuto digitale (inclusi applicazioni, MP3, ecc.) mediante un supporto non materiale (per esempio un CD o un DVD) se al momento dell'inoltro dell'ordine hai espressamente consentito all'inizio dell'esecuzione accettando la perdita del diritto di recesso in conseguenza dell'inizio di esecuzione.

Modulo di recesso tipo

(Compilare e restituire il presente modulo solo se si desidera recedere dal contratto)

Destinatario: (Brook Bookstore On Demand, Via Vannella Gaetani 27, Brandon Group, 80121, Napoli, NA, Italy, +39 3485885209)

Con la presente io/noi (*) notifichiamo il recesso dal mio/nostro (*) contratto di vendita dei seguenti beni/servizi (*)

Ordinato il (*) /ricevuto il (*)

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