Titolo: New Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-VI Compounds (Landolt-B�rnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology - New Series, 44A)
Editore: Springer
Data di pubblicazione: 2009
Lingua: Inglese
ISBN 10: 3540485287
ISBN 13: 9783540485285
Rilegatura: Rilegato
Condizione: New

Descrizione articolo

Riassunto

The Landolt-B�rnstein subvolumes III/44A and III/44B update the existing 8 volumes III/41 about Semiconductors and contain new Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI, IV, VI and II-VI Compounds. The text, tables figures and references are provided in self-contained document files, each one dedicated to a substance and property. The first subvolume III/44A contains a "Systematics of Semiconductor Properties", which should help the non-specialist user to understand the meaning of the material parameters. Hyperlinked lists of substances and properties lead directly to the documents and make the electronic version an easy-to-use source of semiconductor data. In the new updates III/44A and III/44B, links to existing material in III/41 or to related documents for a specific substance are also included.

Contenuti

Systematics of Semiconductor Data.- Index of Substances, List of Symbols and Abbreviations, Conversion factors.- AgBr: heat of sublimation.- AgBr: lattice constants.- AgBr: compressibility, bulk modulus.- AgBr: Debye-Waller factor.- AgCl: heat of sublimation.- AgCl: lattice constants.- AgCl: compressibility, bulk modulus.- AgCl: Debye-Waller factor.- AgF: heat of sublimation.- AgF: lattice constants.- AgI, beta modification: Debye-Waller factor, mean square relative displacements.- AgI: heat of sublimation.- AgI: lattice constants.- AgI: phase transitions, p-T phase diagram.- AgI: compressibility, bulk modulus.- AgI: Debye-Waller factor.- Cu Cl1–x Br x : phonon wavenumbers.- Cu Cl1–x Br x : electron mobility, drift velocity.- CuBr, gamma modification: exciton energies.- CuBr, gamma modification: Debye-Waller factor, mean square relative displacements.- CuBr, gamma modification: spin-orbit splittings.- CuBr: elastic moduli, mode Gr�neisen parameters, effective charges.- CuBr, gamma modification: electron mobility, drift velocity.- CuBr: phase transitions, p-T phase diagram.- CuBr: lattice constants.- CuBr: bulk modulus.- CuBr, gamma modification: biexciton and trion data.- CuBr: phonon frequencies and wavenumbers, related data.- CuBr: heat of sublimation.- CuCl, gamma modification: crystal structure, space group.- CuCl, gamma modification: band structure.- CuCl, gamma modification: deformation potentials.- CuCl, gamma modification: exciton energies, Rabi energies, oscillator strength.- CuCl, gamma modification: biexciton data.- CuCl, gamma modification: trion data.- CuCl, gamma modification: electron-hole plasma.- CuCl, gamma modification: thermal expansion coefficient.- CuCl, gamma modification: phonon frequencies, phonon wavenumbers, damping constants.- CuCl, gamma modification: elastic moduli, effective charge.- CuCl, gamma modification: Debye-Waller factors, mean square displacements.- CuCl: bulk modulus.- CuCl, gamma modification: dielectric constant.- CuCl, gamma modification: conductivity, resistivity.- CuCl, gamma modification: sublimation energy.- CuCl, gamma modification: lattice constants.- CuCl, gamma modification: mode Gr�neisen parameters.- CuCl, gamma modification: exciton energies.- CuCl, gamma modification: phonon wavenumbers.- CuF: heat of sublimation.- CuF: lattice constants.- CuI, gamma modification: exciton energies.- CuI: elastic moduli, mode Gr�neisen parameters, effective charges.- CuI: lattice constants.- CuI: bulk modulus.- CuI: phase transitions, p-T phase diagram.- CuI, gamma modification: biexciton and trion data.- CuI: heat of sublimation.- CuI, gamma modification: electron mobility, drift velocity.- CuI, gamma modification: phonon wavenumbers.- I-VII-compounds: phases and lattice parameter, melting point.- I-VII-compounds: chemical bond.- AlAs: band structure, energies at symmetry points.- AlAs: energy gaps.- AlAs: interband transition energies.- AlAs: camel’s back parameter.- AlAs: spin-orbit splittings.- AlAs: Dresselhaus spin-splitting parameter.- AlAs: effective Land� g-factors.- AlAs: effective-mass parameters.- AlAs: refractive index.- AlAs: dielectric constants.- AlAs: mobility.- Al x Ga1?x As: band structure.- Al x Ga1–x As: energy gaps.- Al x Ga1?x As: critical point energies.- Al x Ga1–x As: refractive index, absorption coefficient.- Al x Ga1–x As: mobility.- Al x Ga1?x As: impact ionization coefficients.- AlN: energy gaps.- AlN: critical point energies.- AlN: spin-orbit splittings, crystal-field splitting.- AlN: excitonic energy gaps, exciton binding energies and lifetime.- AlN: absorption, refractive index, dielectric function.- GaAs: band structure, energies at symmetry points.- GaAs: interband transition energies.- GaAs: energy gaps.- GaAs: exciton linewidth.- GaAs: spin-orbit splittings.- GaAs: Dresselhaus spin-splitting parameter.- GaAs: effective-mass parameters.- GaAs: effective Land� g-factors.- GaAs: refractive index.- GaAs: dielectric constants.- GaAs: resistivity.- GaAs: mobility, drift velocity.- GaAs: spin transport data.- GaAs: impact ionization coefficients.- GaAs: photoemission data.- GaAs: Auger recombination coefficient and lifetime.- GaAs: radiative recombination coefficient.- GaAs: bound exciton data.- GaAs: exciton fine-structure.- Ga1–x Fe x Se: magnetization, magnetic anisotropy.- Ga1–x Mn x S: magnetization.- Ga1–x Mn x Se: magnetization.- GaN, cubic modifiaction: energy gaps.- GaN, cubic modification: effective Land� g-factors.- GaN, cubic modification: dielectric function.- GaN, hexagonal modification: energy gaps.- GaN, hexagonal modification: exciton energies, pressure dependence.- GaN, hexagonal modification: exciton g-factors.- GaN, hexagonal modification: crystal-field splitting, spin-orbit splittings.- GaN, hexagonal modification: effective-mass parameters.- GaN, hexagonal modification: Hall mobility.- GaN, hexagonal modification: diffusion coefficient, diffusion length.- GaN, hexagonal modification: carrier lifetimes.- GaN, hexagonal modification: absorption coefficient, dielectric constant.- In1?x Mn x S: magnetization.- In1–x Mn x Se: magnetization, hysteresis.- InN, wurtzite modification: band structure.- InN, wurtzite modification: energy gaps.- InN, wurtzite modification: critical point energies.- InN, wurtzite modification: spin-orbit splittings, crystal field splitting.- InN, wurtzite modification: effective-mass parameters.- InN, wurtzite modification: mobility, diffusion coefficients.- InN, wurtzite modification: absorption, reflectance, and photoluminescence.- InN, cubic modification: band structure, energies at symmetry points.- InN, cubic modification: energy gaps.- InN, cubic modification: effective-mass parameters.- Pb1?x Eu x S: crystal structure.- Pb1?x Eu x S: photoemission data.- Pb1?x Eu x S: magnetization.- Pb1?x Eu x S: magnetic ion g-factor.- Pb1?x Eu x Se: lattice parameter.- Pb1?x Eu x Se: energy gaps.- Pb1?x Eu x Se: band structure parameters.- Pb1?x Eu x Se: refractive index, absorption.- Pb1?x Eu x Se: dielectric constant.- Pb1–x Eu x Se: transmission.- Pb1–x Eu x Se: photoemission data.- Pb1–x Eu x Se: sp-f exchange integrals.- Pb1–x Eu x Se: g-factor of magnetic ions.- Pb1–x Eu x Te: band structure parameters.- Pb1–x Eu x Te: energy gaps.- Pb1–x Eu x Te: Debye-Waller factor.- Pb1–x Eu x Te: phonon wavenumbers.- Pb1–x Eu x Te: resistivity.- Pb1–x Eu x Te: mobility.- Pb1?x Eu x Te: phase coherence length.- Pb1?x Eu x Te: transmission.- Pb1?x Eu x Te: Verdet constant.- Pb1?x Eu x Te: photoemission data.- Pb1?x Eu x Te: sp-f exchange integrals.- Pb1?x Eu x Te: f-f exchange integrals.- Pb1?x Eu x Te: Curie temperature.- Pb1?x Eu x Te: magnetization, magnetic specific heat.- Sn1?x Eu x Te: crystal structures.- Sn1?x Eu x Te: lattice parameter.- Sn1?x Eu x Te: resistivity.- Sn1?x Eu x Te: mobilities.- Sn1?x Eu x Te: transmission.- Sn1?x Eu x Te: exchange integrals.- Sn1?x Eu x Te: magnetization.- Sn1?x Eu x Te: g-factor of magnetic ions.- Ge1?x Mn x Te: crystal structure.- Ge1?x Mn x Te: magnetoresistance.- Ge1?x Mn x Te: transmittance.- Ge1?x Mn x Te: exchange constants.- Ge1–x Mn x Te: Curie temperature.- Ge1–x Mn x Te: lattice parameter.- Ge1–x Mn x Te: energy gaps.- Ge1–x Mn x Te: effective-mass parameters.- Pb1–x Mn x Se: energy gap.- Pb1?x Mn x Se: transmission, dielectric constants.- Pb1–x–y Sn y Mn x Te: band structure.- Pb1–x–y Sn y Mn x Te: Curie temperature.- Pb1?x Mn x Te: structural phases.- Pb1?x Mn x Te: specific heat, thermal conductivity.- Pb1?x Mn x Te: phonon frequencies.- Pb1?x Mn x Te: micro hardness.- Pb1?x Mn x Te: thermoelectric power.- Pb1?x Mn x Te: magnetoresistance.- Sn1?x Mn x Te: structural phases, crystal structures.- Sn1?x Mn x Te: photoemission data.- Sn1?x Mn x Te: phase transition, magnetic anisotropy.

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Se sei un consumatore, puoi esercitare il tuo diritto di recesso seguendo le istruzioni riportate di seguito. Per "consumatore" si intende qualsiasi persona fisica che agisca per fini che non rientrano nel quadro della sua attivit� commerciale, industriale, artigianale o professionale.

Informazioni relative al diritto di recesso

Diritto di recesso

Hai il diritto di recedere dal presente contratto, senza indicarne le ragioni, entro 14 giorni.

Il periodo di recesso scade dopo 14 giorni dal giorno in cui

tu acquisisci, o un terzo designato diverso dal vettore e da te acquisisce, il possesso fisico dell'ultimo bene o l'ultimo lotto o pezzo.

Per esercitare il diritto di recesso, sei tenuto a informare Ria Christie Collections, Suite B; (inside) ARUN House; ARUN, Arundel Road; Uxbridge Ind Est, UB8 2RR, Uxbridge, United Kingdom, +44 7727654838, della tua decisione di recedere dal presente contratto tramite una dichiarazione esplicita (ad esempio lettera inviata per posta, fax o posta elettronica). A tal fine puoi utilizzare il modulo tipo di recesso, ma non e' obbligatorio. Puoi anche compilare e inviare elettronicamente il modulo tipo di recesso o qualsiasi altra esplicita dichiarazione sul nostro sito web, dalla sezione "Ordini" nel "Mio Account". Nel caso scegliessi questa opzione, ti trasmetteremo senza indugio una conferma di ricevimento su un supporto durevole (ad esempio per posta elettronica).

Per rispettare il termine di recesso, � sufficiente inviare la comunicazione relativa all'esercizio del diritto di recesso prima della scadenza del periodo di recesso.

Effetti del recesso

Se recedi dal presente contratto, ti saranno rimborsati tutti i pagamenti che hai effettuato a nostro favore, compresi i costi di consegna (ad eccezione dei costi supplementari derivanti dalla tua eventuale scelta di un tipo di consegna diverso dal tipo meno costoso di consegna standard da noi offerto). Potremo trattenere dal rimborso le somme derivanti da una diminuzione del valore del prodotto risultante da una tua non necessaria manipolazione.

I rimborsi verranno effettuati senza indebito ritardo e in ogni caso non oltre 14 giorni dal giorno in cui siamo stati informati della tua decisione di recedere dal presente contratto.

Detti rimborsi saranno effettuati utilizzando lo stesso mezzo di pagamento da te usato per la transazione iniziale, salvo che tu non abbia espressamente convenuto altrimenti; in ogni caso, non dovrai sostenere alcun costo quale conseguenza di tale rimborso. Il rimborso pu� essere sospeso fino al ricevimento dei beni oppure fino all'avvenuta dimostrazione da parte tua di aver rispedito i beni, se precedente.

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Eccezioni al diritto di recesso

Il diritto di recesso non si applica in caso di:

fornitura di giornali, periodici e riviste ad eccezione dei contratti di abbonamento per la fornitura di tali pubblicazioni;
fornitura di contenuto digitale (inclusi applicazioni, MP3, ecc.) mediante un supporto non materiale (per esempio un CD o un DVD) se al momento dell'inoltro dell'ordine hai espressamente consentito all'inizio dell'esecuzione accettando la perdita del diritto di recesso in conseguenza dell'inizio di esecuzione.

Modulo di recesso tipo

(Compilare e restituire il presente modulo solo se si desidera recedere dal contratto)

Destinatario: (Ria Christie Collections, Suite B; (inside) ARUN House; ARUN, Arundel Road; Uxbridge Ind Est, UB8 2RR, Uxbridge, United Kingdom, +44 7727654838)

Con la presente io/noi (*) notifichiamo il recesso dal mio/nostro (*) contratto di vendita dei seguenti beni/servizi (*)

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