This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The workshop on 'Optical Properties of Low Dimensional Silicon sL Structures' was held in Meylan, France on March, I yd, 1993. The workshop took place inside the facilities of France Telecom- CNET. Around 45 leading scientists working on this rapidly moving field were in attendance. Principal support was provided by the Advanced Research Workshop Program of the North Atlantic Treaty Organisation (NATO). French Delegation a l'Armement and CNET gave also a small financial grant, the organisational part being undertaken by the SEE and CNET. There is currently intense research activity worldwide devoted to the optical properties of low dimensional silicon structures. This follow the recent discovery of efficient visible photoluminescence (PL) from highly porous silicon. This workshop was intended to bring together all the leading European scientists and laboratories in order to reveal the state of the art and to open new research fields on this subject. A large number of invited talks took place (12) together with regular contribution (20). The speakers were asked to leave nearly 1/3 of the time to the discussion with the audience, and that promoted both formal and informal discussions between the participants. 256 pp. Englisch.

Codice articolo 9780792324461

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Dati bibliografici

Titolo: Optical Properties of Low Dimensional Silicon Structures
Editore: Springer Netherlands Aug 1993
Data di pubblicazione: 1993
Lingua: Inglese
ISBN 10: 0792324463
ISBN 13: 9780792324461
Rilegatura: Buch
Condizione: Neu
Dimensioni: 241 millimetri di larghezza per 160 millimetri di altezza per 19 millimetri di profondit�
Peso: 553 grammi

Descrizione articolo

Riassunto

Describing the state of the art on the luminescent properties of porous silicon, this text presents the dramatic results of the major international laboratories and groups working in this subject. The majority of the paticipants agree that a quantum confinement effect and a good passivation of the surface crystallites are responsible for the observed luminescence properties. New characterization techniques are presented as a comprehensive survey of the theoretical models. Both efficient and wavelength tunable electroluminescence are demonstrated using liquid contacts and a cathodic injection system. Localized cathodoluminescence in a scanning electron miscroscope and a scanning tunnelling microscope is also presented. This book demonstrates that a consensus is emerging on the origin of the visible luminescence of highly porous Si. This nanostructure is extending knowledge of this area of solid state physics.

Contenuti

Preface. Microporous silicon: formation mechanism and preparation method; V. Lehmann. Electrochemical and chemical behaviour of porous silicon layers: the role of the material wettability and its high specific surface area; A. Halimaoui. Fabrication of Si nanostructures for light emission study; H.I. Liu, D.K. Biegelsen, N.M. Johnson, F.A. Ponce, N.I. Maluf, R.F.W. Pease. Light emission from porous silicon and other self-organised low dimensional systems; B. Hamilton, S. Gardelis. Preparation and properties of thin siloxene films on silicon; M. Rosenbauer, M.S. Brandt, H.D. Fuchs, A. H�pner, A. Breitschweddt, M. Stutzmann. Modelling of porous structures formation during electrochemical treatment of materials; V.P. Parkhutik, J.M. Martinez-Duart, J.M. Albella. Electronic charge trapping effects in porous silicon; L. Pavesi, L. Calliari, E. Zanghellini, G. Mariotto, M. Anderle, O. Bisi. Mechanical, optical and electrical properties of porous silicon prepared under clean conditions; Y. Diawara, J.F. Currie, A. Yelon. The influence of microelectronic processing steps on the properties of porous silicon layers; H. M�nder, M.G. Berger, St. Frohnhoff, M. Th�nissen, H. L�th, W. Thei�, L. K�pper. Progress towards understanding and exploiting the luminescent properties of highly porous silicon; L.T. Canham. `White' photoluminescence from electrochemically attacked silicon; A. Cameron, X. Chen, C. Trager Cowan, D. Uttamchandani, K.P. O'Donnell. Electrochemical investigation of the electroluminescent properties of porous silicon; F. Muller, R. Herino, M. Ligeon, S. Billat, F. Gaspard, R. Romestain, J.C. Vial, A. Bsiesy. Phenomenological properties of the fast (blue) and slow (red) components in the photoluminescence of porous silicon;J.C. Vial, I. Mihalcescu. Electroluminescence from porous silicon; F. Kozlowski, P. Steiner, W. Lang. Optoelectronic properties of porous silicon; N. Koshida. Voltage-tunable electroluminescence of porous silicon; A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. H�rino, R. Romestain, J.C. Vial. Studies of porous silicon by electron microscopy; A.G. Cullis. Scanning probe microscopies of luminescent porous silicon layers; Ph. Dumas, M. Gu, C. Syrykh, F. Salvan, J.K. Gimzewski, O. Vatel, A. Hallimaoui. In-situ combined infrared and photoluminescence investigation of porous silicon during its etching; V.M. Dubin, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. Near surface states in Si and their possible role in the luminescence of porous silicon; D. Bois, J.M. Debever. Porous electroluminescence mechanisms and defect analysis; J.F. Harvey, E.H. Poindexter, D.C. Morton, F.C. Rong, R.A. Lux, R. Tsu. Defect and structure analysis of n+ and p+-type porous silicon by the Electron Paramagnetic Resonance technique; H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka. Photoluminescence and optically detected magnetic resonance investigations on porous silicon; A. Kux, D.M. Hofmann. Effects of the reduction of dielectric constant in nanoscale silicon; R. Tsu, D. Babic. Quantum effects in porous silicon; M. Voos, D. Delalande. Electronic properties of low dimensional silicon structures; S. Ossicini, A. Fasolino, F. Bernardini. Role of silicon molecules and crystallites in the luminescence of porous silicon; C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Localisation of excitons on a quantum wire of fluctuating width; K.P. O'Donnell, F. Yang, E.J. Austin. Index.

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