Optoelectronic Properties of Gaussian DQWell for RTD Application

Lingua: inglese

Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2016, 2016

3659979376 / 9783659979378

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this work, electronic and optoelectronic properties of Gaussian double quantum well is numerically computed in presence of electric field applied along the direction of quantum confinement. Structural parameters and material composition are tuned in order to study the variation of eigenenergies of lowest three levels and density of states. Tailorable carrier states and controllable intersubband transition are the features that can be utilized for design of photodetector. Absorption coefficient and oscillator strength are also calculated for the same purpose. Results are compared with ideal parabolic potential profile. Kane type band nonparabolicity of first order is considered for realistic simulation. Obtained results have profound importance for design of quantum well based optoelectronic devices.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 204 pp. Englisch.

Codice articolo 9783659979378

Titolo
Optoelectronic Properties of Gaussian DQWell for RTD Application
Autore
Arpan Deyasi
Editore
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2016
Anno di pubblicazione
2016
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
3659979376
ISBN 13
9783659979378
Peso dell'articolo
322 grammi
Dimensioni
220x150x13 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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