The first international symposium on the subject "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 Interface," organized in association with the Electrochemical Society, Inc. , was held in Atlanta, Georgia on May 15- 20, 1988. This symposium contained sixty papers and was so successful that the sponsoring divisions decided to schedule it on a regular basis every four years. Thus, the second symposium on "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si02 Interface was held May 18-21, 1992 in St. Louis, Missouri, again sponsored by the Electronics and Dielectrics Science and Technology Divisions of The Electrochemical Society. This volume contains manuscripts of most of the fifty nine papers presented at the 1992 symposium, and is divided into eight chapters - approximating the organization of the symposium. Each chapter is preceded with an introduction by the session organizers. It is appropriate to provide a general assessment of the current status and understanding of the physics and chemistry of Si02 and the Si02 interface before proceeding with a brief overview of the individual chapters. Semiconductor devices have continued to scale down in both horizontal and vertical dimensions. This has resulted in thinner gate and field oxides as well as much closer spacing of individual device features. As a result, surface condition, native oxide composition, and cleaning and impurity effects now provide a much more significant contribution to the properties of oxides and their interfaces.

Contenuti

Thermal Oxidation Mechanisms and Modeling: Silicon Oxides and Oxidation; A.M. Stoneham. Novel Oxidation Methods and Characterization: New Approach to Chemically Enhanced Oxidation; R.J. Jaccodine. Deposition and Properties of SiO2: Low Temperature Synthesis and Characterization of Silicon Dioxide Films; G.S. Chakravarthy, et al. Chemical Properties of Si Surfaces Related to Oxidation and Oxide Deposition: Pre-Gate Oxide Si Surface Control; M. Morita, T. Ohmi. Chemical, Structural, and Microroughness Effects at the SiSiO2 Interface: Dependence of Surface Microroughness on Types of Silicon Substrates; T. Ohmi, et al. Novel Structures, Processes, and Phenomena: Properties of Simox and Related Systems; S. Cristoloveanu, T. Ouisse. Defects and Hot-Carrier Induced Damage in SiSiO2 Systems: Radiation and Hydrogen Induced Effects in Silicon-Silicon Dioxide Systems. 56 additional articles. Index.

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Hai il diritto di recedere dal presente contratto, senza indicarne le ragioni, entro 14 giorni.

Il periodo di recesso scade dopo 14 giorni dal giorno in cui

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Per esercitare il diritto di recesso, sei tenuto a informare Ria Christie Collections, Suite B; (inside) ARUN House; ARUN, Arundel Road; Uxbridge Ind Est, UB8 2RR, Uxbridge, United Kingdom, +44 7727654838, della tua decisione di recedere dal presente contratto tramite una dichiarazione esplicita (ad esempio lettera inviata per posta, fax o posta elettronica). A tal fine puoi utilizzare il modulo tipo di recesso, ma non e' obbligatorio. Puoi anche compilare e inviare elettronicamente il modulo tipo di recesso o qualsiasi altra esplicita dichiarazione sul nostro sito web, dalla sezione "Ordini" nel "Mio Account". Nel caso scegliessi questa opzione, ti trasmetteremo senza indugio una conferma di ricevimento su un supporto durevole (ad esempio per posta elettronica).

Per rispettare il termine di recesso, � sufficiente inviare la comunicazione relativa all'esercizio del diritto di recesso prima della scadenza del periodo di recesso.

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Se recedi dal presente contratto, ti saranno rimborsati tutti i pagamenti che hai effettuato a nostro favore, compresi i costi di consegna (ad eccezione dei costi supplementari derivanti dalla tua eventuale scelta di un tipo di consegna diverso dal tipo meno costoso di consegna standard da noi offerto). Potremo trattenere dal rimborso le somme derivanti da una diminuzione del valore del prodotto risultante da una tua non necessaria manipolazione.

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