The Physics of Semiconductor Devices

Lingua: inglese

Editore: Springer, Springer Feb 2019, 2019

3319976036 / 9783319976037

Serie: Libro 88 di 166 - Springer Proceedings in Physics

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Enhanced Photodetection in Visible Region in rGo/GaN Based Hybrid Photodetector.- ZigZag Phosphorene Nanoribbons Antidot âEUR' Electronic structure and Device Application.- Calculation of Quantum Capacitance and Sheet Carrier Density of Graphene FETs.- Effect of Back Gate Voltage on Double Gate Single Layer Graphene Field-Effect Transistor with Improved ION.- Effects of chemical functionalization on single-walled carbon nanotubes by mild hydrogen peroxide for PV applications.- Effect of tip induced strain on nanoscale electrical properties of MoS2-Graphene heterojunctions.- Optimization of the concentration of molybdenum disulfide (MoS2) for formation of atomically thin layers.- Fabrication of 2D NEMS on flexible substrates for strain engineering in sensing applications.- Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights.- Tuning Resonant Wavelength of Silicon Micro-ring Resonator with Graphene.- Diameter Dependent Band Gap Properties of Different Structures of Single-walled Carbon.-Limitations of Mott-Schottky Analysis for Organic Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 1420 pp. Englisch. …

Codice articolo 9783319976037

Titolo
The Physics of Semiconductor Devices
Autore
R. K. Sharma
Editore
Springer, Springer Feb 2019
Anno di pubblicazione
2019
Condizione
Neu
Rilegatura
Buch
Lingua
inglese
ISBN 10
3319976036
ISBN 13
9783319976037
Peso dell'articolo
2435 grammi
Dimensioni
241x160x87 mm
Serie
Libro 88 di 166: Springer Proceedings in Physics

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Emtmannsberg, BAYE, Germania

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