Protonendotierung von Silizium : Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium

Laven, Johannes G

ISBN 10: 3658073896 / ISBN 13: 9783658073893

Editore: Springer Vieweg 2014-10, 2014

Riguardo questo articolo

Codice articolo 6666-IUK-9783658073893

Dati bibliografici

Titolo: Protonendotierung von Silizium : ...

Casa editrice: Springer Vieweg 2014-10

Data di pubblicazione: 2014

Legatura: PF

Condizione: New

Descrizione articolo

Riassunto:

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Informazioni sull?autore:

Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.