Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics
Lingua: inglese
Editore: Taylor and Francis Ltd, GB, 2024
- Brossura
- Nuovo
Da: Rarewaves.com UK, London, Regno UnitoRarewaves.com UK
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This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power applications owing to their better subthreshold swing and scalability. In addition, the text examines the use of field-effect transistors for biosensing applications and covers design considerations and compact modeling of advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, and TFETs. TCAD simulation examples are also provided. FEATURES Discusses the latest updates in the field of ultra low power semiconductor transistors Provides both experimental and analytical solutions for TFETs and NCFETs Presents synthesis and fabrication processes for FinFETs Reviews details on 2-D materials and 2-D transistors Explores the application of FETs for biosensing in the healthcare fieldThis book is aimed at researchers, professionals, and graduate students in electrical engineering, electronics and communication engineering, electron devices, nanoelectronics and nanotechnology, microelectronics, and solid-state circuits.…
Codice articolo LU-9781032061627
- Titolo
- Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics
- Autore
- D. Nirmal
- Editore
- Taylor and Francis Ltd, GB
- Anno di pubblicazione
- 2024
- Condizione
- New
- Rilegatura
- Paperback
- Lingua
- inglese
- ISBN 10
- 1032061626
- ISBN 13
- 9781032061627
- Peso dell'articolo
- 439 grammi
This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power applications owing to their better subthreshold swing and scalability. In addition, the text examines the use of field-effect transistors for biosensing applications and covers design considerations and compact modeling of advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, and TFETs. TCAD simulation examples are also provided.
FEATURES
- Discusses the latest updates in the field of ultra low power semiconductor transistors
- Provides both experimental and analytical solutions for TFETs and NCFETs
- Presents synthesis and fabrication processes for FinFETs
- Reviews details on 2-D materials and 2-D transistors
- Explores the application of FETs for biosensing in the healthcare field
This book is aimed at researchers, professionals, and graduate students in electrical engineering, electronics and communication engineering, electron devices, nanoelectronics and nanotechnology, microelectronics, and solid-state circuits.
"Riassunto" può appartenere a un’altra edizione di questo titolo.
Informazioni sull’autore
D. Nirmal is presently working as an Associate Professor and Head in the Department of Electronics and Communication engineering. His research interests includes Nanoelectronics, 1D/2D Materials, Carbon nanotubes, GaN Technology, Device and Circuit Simulation – GSL, Sensors, Nanoscale device design and modelling.
J. Ajayan is an Associate Professor in the Department of Electronics and Communication Engineering at SR University, Telangana, India. His areas of interest are microelectronics, semiconductor devices, nanotechnology, RF integrated circuits and photovoltaics.
Patrick Fay is currently a Professor with the Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA. He established the High Speed Circuits and Devices Laboratory, Notre Dame, and oversaw the design, construction, and commissioning of the 9000-ft2 class 100 cleanroom housed in Stinson-Remick Hall at Notre Dame. He has served as the Director of this facility since 2003.
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