SiC Power Module Design
Lingua: inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, GB, 2022
- Rilegato
- Nuovo
Da: Rarewaves USA United, HEBRON, KY, U.S.A.Rarewaves USA United
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High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging. This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs. Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.…
Codice articolo LU-9781785619076
- Titolo
- SiC Power Module Design
- Autore
- Castellazzi, Alberto
- Editore
- Institution of Engineering and Technology, GB
- Anno di pubblicazione
- 2022
- Condizione
- New
- Rilegatura
- Hardback
- Lingua
- inglese
- ISBN 10
- 1785619071
- ISBN 13
- 9781785619076
- Serie
- Libro 64 di 65: Energy Engineering
High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging.
This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs.
Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.
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HEBRON, KY, U.S.A.
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