The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Lingua: inglese

Editore: Springer Berlin Heidelberg Jun 2018, 2018

3662570262 / 9783662570265

Serie: Libro 107 di 797 - Springer Theses

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. 80 pp. Englisch.

Codice articolo 9783662570265

Titolo
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Autore
Zhiqiang Li
Editore
Springer Berlin Heidelberg Jun 2018
Anno di pubblicazione
2018
Condizione
Neu
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
3662570262
ISBN 13
9783662570265
Peso dell'articolo
151 grammi
Dimensioni
235x155x5 mm
Serie
Libro 107 di 797: Springer Theses

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