Da: moluna, Greven, Germaniamoluna

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C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K BeraA combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufactu.

Codice articolo 898571078

Titolo
Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
Autore
C.K Maiti (Indian Institute of Technology, Kharagpur, India)|S Chattopadhyay (University of Newcastle, UK)|L.K Bera
Editore
CRC Press
Anno di pubblicazione
2007
Condizione
New
Rilegatura
Rilegato
Lingua
inglese
ISBN 10
0750309938
ISBN 13
9780750309936
Serie
Libro 3 di 21: Series in Materials Science and Engineering

moluna

Greven, Germania

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Moluna GmbH

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