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Solid-State Electronics: An International Journal, Volume 40 Number 1-8, 1996
Editore: Pergamon, 1996
Da: The Book Bin, Salem, OR, U.S.A.
Membro dell'associazione: ABAA CBA ILAB
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Paperback. Condizione: Very Good. Special Issue. Previous Business Library Book. Stickers to front cover and spine. Interior clean and unmarked.
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Oxygen, Carbon, Hydrogen and Nitrogen in Crystalline Silicon: Symposiumheld December 2-5, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposia Proceedings)
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1986
ISBN 10: 0931837243 ISBN 13: 9780931837241
Da: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Hardcover. Condizione: Very Good. No Jacket. May have limited writing in cover pages. Pages are unmarked. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less.
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Oxygen, Carbon, Hydrogen and Nitrogen in Crystalline Silicon (Materials Res Earch Society Symposia Proceedings, Volume 59)
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1986
ISBN 10: 0931837243 ISBN 13: 9780931837241
Da: BookDepart, Shepherdstown, WV, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Hardcover. Condizione: UsedGood. Hardcover; symposium held December 2-5, 1985, in Boston, Massachusetts; sur plus library copy with the usual stampings; reference number taped to spine; light fading and shelf wear to exterior; otherwise in good condition with clean text, firm binding.
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Semiconductor-Based Sensors
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2016
ISBN 10: 9813146729 ISBN 13: 9789813146723
EUR 39,46
Spedizione EUR 12,99
Spedito da Spagna a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Muy bueno. : Este libro trata sobre los sensores basados en semiconductores. Cubre temas como detectores, detectores químicos y biosensores. Publicado en 2016 por World Scientific Publishing Co Pte Ltd y WSPC, el libro tiene 496 páginas y está escrito en inglés. EAN: 9789813146723 Tipo: Libros Categoría: Tecnología|Ciencias Título: Semiconductor-Based Sensors Autor: S. J. Pearton| F. Ren Idioma: en Páginas: 496.
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Gallium Nitride Processing For Electronics, Sensors And Spintronics (Hb)
Libro 3 di 29: Engineering Materials and ProcessesDa: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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InP HBTs Growth, Processing and Applications (Artech House Materials Science Library)
Da: Budget Books, Pasadena, CA, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Prima edizione
Hardcover. Condizione: New. No Jacket. 1st Edition.
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GaN and Related Alloys: Volume 537 (MRS Proceedings)
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1999
ISBN 10: 1558994432 ISBN 13: 9781558994430
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 86,63
Spedizione EUR 7,65
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Used. pp. 1024.
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GaN and Related Alloys: Volume 537 (MRS Proceedings)
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1999
ISBN 10: 1558994432 ISBN 13: 9781558994430
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: Used. pp. 1024.
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GaN and Related Alloys: Volume 537 (MRS Proceedings)
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1999
ISBN 10: 1558994432 ISBN 13: 9781558994430
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 88,38
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Used. pp. 1024.
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Edizione InternazionaleGALLIUM NITRIDE PROCESSING FOR ELECTRONICS, SENSORS AND SPINTRONICS (HB)
Libro 3 di 29: Engineering Materials and ProcessesDa: UK BOOKS STORE, London, LONDO, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 105,78
Spedizione gratuita
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Brand New! Fast Delivery This is an International Edition and ship within 24-48 hours. Deliver by FedEx and Dhl, & Aramex, UPS, & USPS and we do accept APO and PO BOX Addresses. Order can be delivered worldwide within 6-10 days and we do have flat rate for up to 2LB. Extra shipping charges will be requested if the Book weight is more than 5 LB. This Item May be shipped from India, United states & United Kingdom. Depending on your location and availability.
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Degradation Mechanisms in III-V Compound Semiconductor Devices and Structur Es (Materials Research Society Symposium Proceedings,
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1990
ISBN 10: 1558990739 ISBN 13: 9781558990739
Da: BookDepart, Shepherdstown, WV, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Hardcover. Condizione: UsedGood. Hardcover; symposium held April 17-18, 1990, in San Francisco, California; surplus library copy with the usual stampings; reference number taped to sp ine; scuffing and shelf wear to exterior; in good condition with clean text, firm binding. No dust jacket.
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Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer Series in Materials Science)
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 81,19
Spedizione EUR 29,41
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Defects in Electronic Materials. Materials Research Society Symposium Proceedings. Volume 104
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, 1988
ISBN 10: 0931837723 ISBN 13: 9780931837722
Da: Zubal-Books, Since 1961, Cleveland, OH, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: Good. 653 pp., hardcover, ex library, else text clean and binding tight. - If you are reading this, this item is actually (physically) in our stock and ready for shipment once ordered. We are not bookjackers. Buyer is responsible for any additional duties, taxes, or fees required by recipient's country. Photos available upon request.
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Gan And Related Materials
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
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Gan And Related Materials
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Gan And Related Materials
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 131,51
Spedizione EUR 17,65
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Degradation Mechanisms in III-V Compound Semiconductor Devices and Structures: Volume 184
Lingua: Inglese
Editore: Cambridge University Press, 1991
ISBN 10: 1558990739 ISBN 13: 9781558990739
EUR 40,30
Spedizione EUR 105,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 298 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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GaN and Related Materials: 2 (Identity in Social Context)
Da: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Prima edizione
EUR 136,22
Spedizione EUR 10,50
Spedito da Irlanda a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. 1997. 1st Edition. paperback. . . . . .
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Inp Hbts : Growth, Processing, and Applications
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 154,45
Spedizione EUR 2,31
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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InP HBTs Growth, Processing and Applications (Artech House Materials Science Library)
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 156,84
Spedizione gratuita
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Gan And Related Materials
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 139,17
Spedizione EUR 17,65
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Inp Hbts: Growth, Processing, and Applications
Da: La bataille des livres, Pradinas, Francia
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 100,00
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Francia a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Très bon. Inp Hbts: Growth, Processing, and Applications | Jalali, Pearton | Artech House, 1995. In-8° cartonné, 421 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais sans soulignage ou annotation. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Très bon état général [NM51] Pour les expéditions internationales, nous consulter au préalable pour l ajustement des frais de port qui seront peut-être revus à la baisse/ For international shipments, please contact us in advance to adjust shipping costs. |.
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GaN and Related Materials
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 456.
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InP HBTs Growth, Processing and Applications (Artech House Materials Science Library)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 159,61
Spedizione EUR 14,10
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Inp Hbts : Growth, Processing, and Applications
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 159,60
Spedizione EUR 17,65
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Oxygen, Carbon, Hydrogen and Nitrogen in Crystalline Silicon Symposiumheld December 2-5, 1985, Boston, Massachusetts, U. S. A.
Lingua: Inglese
Editore: Materials Research Society, Warrendale, PA, 1986
ISBN 10: 0931837243 ISBN 13: 9780931837241
Da: True Oak Books, Highland, NY, U.S.A.
Membro dell'associazione: IOBA
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Prima edizione
Hardcover. Condizione: Good+. Condizione sovraccoperta: No Dust Jacket. Materials Research Society Symposia Proceedings; 6.5 X 1.75 X 9.5 inches; 579 pages; graphs. Ex-Library copy with usual identifiers. Minor yellowing on pages. Very Good condition otherwise. No other noteworthy defects. No markings on text pages. ; - Your satisfaction is our priority. We offer free returns and respond promptly to all inquiries. Your item will be carefully cushioned in bubble wrap and securely boxed. All orders ship on the same or next business day. Buy with confidence. 1st Edition (Unstated); No Printing Stated.
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GaN and Related Materials: 2 (Identity in Social Context)
Da: Kennys Bookstore, Olney, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New. 1997. 1st Edition. paperback. . . . . . Books ship from the US and Ireland.
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GaN and Related Materials
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 168,65
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 456.
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EUR 82,71
Spedizione EUR 105,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 672 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Pattern transfer by dry etching and plasma-enhanced chemical vapor de position are two of the cornerstone techniques for modern integrated cir cuit fabrication. The success of these methods has also sparked interest in their application to other techniques, such as surface-micromachined sen sors, read/write heads for data storage and magnetic random access memory (MRAM). The extremely complex chemistry and physics of plasmas and their interactions with the exposed surfaces of semiconductors and other materi als is often overlooked at the manufacturing stage. In this case, the process is optimized by an informed "trial-and-error" approach which relies heavily on design-of-experiment techniques and the intuition of the process engineer. The need for regular cleaning of plasma reactors to remove built-up reaction or precursor gas products adds an extra degree of complexity because the interaction of the reactive species in the plasma with the reactor walls can also have a strong effect on the number of these species available for etching or deposition. Since the microelectronics industry depends on having high process yields at each step of the fabrication process, it is imperative that a full understanding of plasma etching and deposition techniques be achieved.
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Processing of Wide Band Gap Semiconductors
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 202,22
Spedizione EUR 2,31
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
