9780750307239 - applications of silicon-germanium heterostructure devices di maiti, c.k; armstrong, g.a (15 risultati)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Press, 2001
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Condizione: Sehr Gut. Zustandsbeschreibung: bumped. Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a parti…cular application such as cryogenics. - The book deals with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, and applications-in a comprehensive way. Important aspects of the book include key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and strategies for the enhancement of the high-frequency performance of heterojunction field effect transistors (HFETs) using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace. XI,401 Seiten mit zahlreichen Tab. und Abb., gebunden (Series in Optics and Optoelectronics/IOP Institute of Physics Publishing 2001). Gewicht: 850 g - Gebunden/Gebundene Ausgabe.
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Editore: Taylor & Francis Group, 2001
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Editore: CRC Press, 2001
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Gebunden. Condizione: New. C.K Maiti, G.A ArmstrongThe first book to deal with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, .
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Editore: Inst of Physics Pub Inc, 2002
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Editore: Taylor & Francis Ltd Jul 2001, 2001
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Buch. Condizione: Neu. Neuware - The first book to deal with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, and applications-in a comprehensive way. Important aspects of the bo…ok include key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and strategies for the enhancement of the high-frequency performance of heterojunction field effect transistors (HFETs) using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace.
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Editore: Taylor & Francis Group, 2001
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