9781119009740 - introduction to magnetic random-access memory (26 risultati)

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    Editore: Wiley-IEEE Press 2016

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    Editore: Wiley-IEEE Press 2016

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    Da: World of Books (was SecondSale), Montgomery, U.S.A.World of Books (was SecondSale)

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    Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, ItaliaBrook Bookstore On Demand

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    Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections

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    Editore: John Wiley and Sons Inc, US 2017

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    Da: Rarewaves.com USA, London, Regno UnitoRarewaves.com USA

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    Hardback. Condizione: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability

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    Editore: John Wiley and Sons Ltd 2016

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    Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno UnitoTHE SAINT BOOKSTORE

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    Da: Majestic Books, Hounslow, Regno UnitoMajestic Books

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    Editore: John Wiley & Sons Inc 2017

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    • Prima edizione

    Da: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, IrlandaKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.

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    Spedito da Irlanda a U.S.A.

    Quantità: Più di 20 disponibili

    Condizione: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Num Page

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    Editore: Wiley-IEEE Press 2016

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    Da: Books Puddle, New York, U.S.A.Books Puddle

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    Condizione: New. 250.

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    Editore: IEEE 2016

    111900974X / 9781119009740

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    Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books

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    Hardcover. Condizione: Brand New. 1st edition. 264 pages. 9.50x6.50x0.50 inches. In Stock.

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    Editore: WILEY 2017

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    Da: moluna, Greven, Germaniamoluna

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    Gebunden. Condizione: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switc.

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    Da: Mispah books, Redhill, Regno UnitoMispah books

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    Da: Kennys Bookstore, Olney, U.S.A.Kennys Bookstore

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    Condizione: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Num Page

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    Da: Rarewaves.com UK, London, Regno UnitoRarewaves.com UK

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    Hardback. Condizione: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability

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    Editore: Wiley Dez 2016 2016

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    Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH

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    Buch. Condizione: Neu. Neuware - Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and dura

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    Editore: John Wiley and Sons Ltd 2016

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    Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno UnitoTHE SAINT BOOKSTORE

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    Hardback. Condizione: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days 574.

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    Editore: IEEE 2016

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    Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books

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    Hardcover. Condizione: Brand New. 1st edition. 264 pages. 9.50x6.50x0.50 inches. In Stock. This item is printed on demand.

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    Editore: John Wiley & Sons Inc, Hoboken 2017

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