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9781288305933 - High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices di Estep, Nicholas A. (13 risultati)
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices (Paperback or Softback)
Da: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, U.S.A.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Lingua: Inglese
Editore: Creative Media Partners, LLC Nov 2012, 2012
ISBN 10: 1288305931 ISBN 13: 9781288305933
EUR 74,86
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Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - Integrated circuits (ICs) are inherently complicated and made worse by increasing transistor quantity and density. This trend potentially enhances concomitant effects of high energy radiation and local or impressed electromagnetic interference (EMI). The reduced margin for signal error may counter any gain in radiation hardness from smaller device dimensions. Isolated EMI and ionizing radiation studies on circuits have been conducted extensively over the past 30 years. However, little focus has been placed on the combined effects. To investigate the effect of combined EMI and ionizing radiation, two complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter technologies (CD4069 and SN74AUC1G04) were analyzed for their static performance in response to EMI and up to 146 kRad(tissue) gamma radiation. The combined EMI and gamma radiation environment, compared to the isolated effects, produced the most severe degradation in inverter performance for both device technologies.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
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High Power Microwave and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices
Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito
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