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9783709119334 - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs di Sverdlov, Viktor (11 risultati)
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 164,50
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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EUR 136,16
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EUR 140,00
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs | Viktor Sverdlov | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783709119334 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 266.
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EUR 168,73
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 237,50
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 252 pages. 9.45x6.61x0.61 inches. In Stock.
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Sverdlov:Strain-Induced Effects in Adva (eng)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 126,26
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 160,49
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsLingua: Inglese
Editore: Springer Vienna, Springer Aug 2016, 2016
ISBN 10: 3709119332 ISBN 13: 9783709119334
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
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EUR 160,49
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 268 pp. Englisch.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 228,50
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 266.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
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EUR 223,84
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