ISBN: 9786203853711 - numerical modeling of junctionless fet using finite difference method: modeling, simulation, and analysis (8 risultati)

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    Taschenbuch. Condizione: Neu. Numerical Modeling of Junctionless FET Using Finite Difference Method | Modeling, Simulation, and Analysis | S. Preethi (u. a.) | Taschenbuch | Englisch | 2021 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786203853711 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

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    Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, Short Channel Effects in Scaling of Devices, Techniques to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate Engineering, Experimental analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method. 184 pp. Englisch. …

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    Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, Short Channel Effects in Scaling of Devices, Techniques to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate Engineering, Experimental analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method.…

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    Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Insight of Junctionless MOSFET: Unfold Types of MOSFETs, Necessity for Miniaturization, Short Channel Effects in Scaling of Devices, Techniques to Reduce Short Channel Effects, Device Modeling, Analytical Modeling of MOSFET, Parameters Involved in the Design of the Device, Performance Analysis of the Device, Channel and Gate Engineering, Experimental analysis of Dual Material Surrounding Gate Junctionless MOSFETs Using Finite Difference Method.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 184 pp. Englisch.…