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9789401049009 - Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale: 243 (13 risultati)
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 228,34
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Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (NATO Science Series E:, 243)
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 230,69
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 223,68
Spedizione EUR 17,37
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (NATO Science Series E:, 243)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 223,70
Spedizione EUR 13,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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EUR 220,70
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Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on The Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale, Riva del Garda, Italy, August 31-September 2, 1992 The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semic.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 272 Index.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-nanometer Scale
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 300,29
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 272 pages. 9.25x6.10x0.62 inches. In Stock.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 302,87
Spedizione EUR 17,37
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (Nato Science Series E: (243))
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 293,35
Spedizione EUR 28,94
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 329,48
Spedizione EUR 2,27
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
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EUR 292,69
Spedizione EUR 62,09
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 266,56
Spedizione EUR 7,53
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 272.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 270,31
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
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