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Editore: Editions Notre Savoir Okt 2022, 2022
ISBN 10: 6205313812 ISBN 13: 9786205313817
Lingua: Francese
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware -Concevoir une mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) en utilisant le langage de description du matériel Verilog, qui peut être utilisé dans n'importe quelle application basée sur la mémoire. Aujourd'hui, les ordinateurs, ainsi que d'autres systèmes électroniques qui nécessitent de grandes quantités de mémoire, utilisent des DRAM pour la mémoire de base. En raison de la structure unique des cellules de transistor de la DRAM, des réseaux de mémoire extrêmement denses peuvent être construits dans un seul dispositif occupant un encombrement relativement faible. La DRAM conventionnelle est contrôlée de manière asynchrone, ce qui oblige le concepteur du système à insérer manuellement les états de veille pour répondre aux spécifications du dispositif. La synchronisation dépend de la vitesse de la DRAM et est indépendante de la vitesse du bus système. Cesont ces limitations de la synchronisation qui ont conduit au développement de la SDRAM. La SDRAM est en grande partie une DRAM rapide avec une interface synchrone à grande vitesse. Les signaux d'entrée/sortie et de contrôleur sont synchronisés avec une horloge externe, ce qui offre de nouvelles options au concepteur. Des circuits d'interface simplifiés et un débit de données élevé peuvent être obtenus en utilisant la SDRAM par rapport à la DRAM conventionnelle.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 52 pp. Französisch.
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Conception numérique de SDRAM sur Verilog | Abhishek Kumar (u. a.) | Taschenbuch | Französisch | 2022 | Editions Notre Savoir | EAN 9786205313817 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
Editore: Editions Notre Savoir Okt 2022, 2022
ISBN 10: 6205313812 ISBN 13: 9786205313817
Lingua: Francese
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Concevoir une mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) en utilisant le langage de description du matériel Verilog, qui peut être utilisé dans n'importe quelle application basée sur la mémoire. Aujourd'hui, les ordinateurs, ainsi que d'autres systèmes électroniques qui nécessitent de grandes quantités de mémoire, utilisent des DRAM pour la mémoire de base. En raison de la structure unique des cellules de transistor de la DRAM, des réseaux de mémoire extrêmement denses peuvent être construits dans un seul dispositif occupant un encombrement relativement faible. La DRAM conventionnelle est contrôlée de manière asynchrone, ce qui oblige le concepteur du système à insérer manuellement les états de veille pour répondre aux spécifications du dispositif. La synchronisation dépend de la vitesse de la DRAM et est indépendante de la vitesse du bus système. Cesont ces limitations de la synchronisation qui ont conduit au développement de la SDRAM. La SDRAM est en grande partie une DRAM rapide avec une interface synchrone à grande vitesse. Les signaux d'entrée/sortie et de contrôleur sont synchronisés avec une horloge externe, ce qui offre de nouvelles options au concepteur. Des circuits d'interface simplifiés et un débit de données élevé peuvent être obtenus en utilisant la SDRAM par rapport à la DRAM conventionnelle. 52 pp. Französisch.
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Concevoir une mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) en utilisant le langage de description du matériel Verilog, qui peut être utilisé dans n'importe quelle application basée sur la mémoire. Aujourd'hui, les ordinateurs, ainsi que d'autres systèmes électroniques qui nécessitent de grandes quantités de mémoire, utilisent des DRAM pour la mémoire de base. En raison de la structure unique des cellules de transistor de la DRAM, des réseaux de mémoire extrêmement denses peuvent être construits dans un seul dispositif occupant un encombrement relativement faible. La DRAM conventionnelle est contrôlée de manière asynchrone, ce qui oblige le concepteur du système à insérer manuellement les états de veille pour répondre aux spécifications du dispositif. La synchronisation dépend de la vitesse de la DRAM et est indépendante de la vitesse du bus système. Cesont ces limitations de la synchronisation qui ont conduit au développement de la SDRAM. La SDRAM est en grande partie une DRAM rapide avec une interface synchrone à grande vitesse. Les signaux d'entrée/sortie et de contrôleur sont synchronisés avec une horloge externe, ce qui offre de nouvelles options au concepteur. Des circuits d'interface simplifiés et un débit de données élevé peuvent être obtenus en utilisant la SDRAM par rapport à la DRAM conventionnelle.