digitaler entwurf sdram verilog di kumar abhishek (5 risultati)

Taschenbuch. Condizione: Neu. Neuware -Entwurf eines synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers (SDRAM) mit 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) unter Verwendung der Hardware-Beschreibungssprache Verilog, der in jeder speicherbasierten Anwendung eingesetzt werden kann. Heutzutage verwenden Computer und andere elektronische Systeme, die große Mengen an Speicher benötigen, DRAMs als Kernspeicher. Aufgrund der einzigartigen Transistorzellenstruktur des DRAM können extrem dichte Speichernetzwerke in einem einzigen Baustein mit relativ geringem Platzbedarf aufgebaut werden. Der herkömmliche DRAM wird asynchron gesteuert, so dass der Systementwickler die Standby-Zustände manuell einfügen muss, um die Spezifikationen des Bausteins zu erfüllen. Das Synchronisierungstiming hängt von der DRAM-Geschwindigkeit ab und ist unabhängig von der Systembusgeschwindigkeit. Diese Beschränkungen der Synchronisation haben zur Entwicklung des SDRAM geführt, das im Wesentlichen ein schneller DRAM mit einer synchronen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle ist. Eingangs-/Ausgangs- und Controllersignale werden mit einem externen Taktgeber synchronisiert, was dem Entwickler neue Möglichkeiten eröffnet. Vereinfachte Schnittstellenschaltungen und ein hoher Bandbreitendurchsatz können mit SDRAM im Vergleich zu herkömmlichem DRAM erzielt werden.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 52 pp. Deutsch.

Taschenbuch. Condizione: Neu. Digitaler Entwurf von SDRAM auf Verilog | Abhishek Kumar (u. a.) | Taschenbuch | Paperback | 52 S. | Deutsch | 2022 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786205313794 | Verantwortliche Person für die EU: Verlag Unser Wissen, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LITAUEN, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Entwurf eines synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers (SDRAM) mit 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) unter Verwendung der Hardware-Beschreibungssprache Verilog, der in jeder speicherbasierten Anwendung eingesetzt werden kann. Heutzutage verwenden Computer und andere elektronische Systeme, die große Mengen an Speicher benötigen, DRAMs als Kernspeicher. Aufgrund der einzigartigen Transistorzellenstruktur des DRAM können extrem dichte Speichernetzwerke in einem einzigen Baustein mit relativ geringem Platzbedarf aufgebaut werden. Der herkömmliche DRAM wird asynchron gesteuert, so dass der Systementwickler die Standby-Zustände manuell einfügen muss, um die Spezifikationen des Bausteins zu erfüllen. Das Synchronisierungstiming hängt von der DRAM-Geschwindigkeit ab und ist unabhängig von der Systembusgeschwindigkeit. Diese Beschränkungen der Synchronisation haben zur Entwicklung des SDRAM geführt, das im Wesentlichen ein schneller DRAM mit einer synchronen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle ist. Eingangs-/Ausgangs- und Controllersignale werden mit einem externen Taktgeber synchronisiert, was dem Entwickler neue Möglichkeiten eröffnet. Vereinfachte Schnittstellenschaltungen und ein hoher Bandbreitendurchsatz können mit SDRAM im Vergleich zu herkömmlichem DRAM erzielt werden. 52 pp. Deutsch.

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: KUMAR ABHISHEKAbhishek Kumar und Ritesh Singh, Assistenzprofessor, Fachbereich Elektrotechnik, Manipal Universitaet Jaipur, Jaipur, Indien. Ihr Forschungsgebiet umfasst Degital System Design, Modellierung und Simulation, Flugdynamik u.

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Entwurf eines synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers (SDRAM) mit 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) unter Verwendung der Hardware-Beschreibungssprache Verilog, der in jeder speicherbasierten Anwendung eingesetzt werden kann. Heutzutage verwenden Computer und andere elektronische Systeme, die große Mengen an Speicher benötigen, DRAMs als Kernspeicher. Aufgrund der einzigartigen Transistorzellenstruktur des DRAM können extrem dichte Speichernetzwerke in einem einzigen Baustein mit relativ geringem Platzbedarf aufgebaut werden. Der herkömmliche DRAM wird asynchron gesteuert, so dass der Systementwickler die Standby-Zustände manuell einfügen muss, um die Spezifikationen des Bausteins zu erfüllen. Das Synchronisierungstiming hängt von der DRAM-Geschwindigkeit ab und ist unabhängig von der Systembusgeschwindigkeit. Diese Beschränkungen der Synchronisation haben zur Entwicklung des SDRAM geführt, das im Wesentlichen ein schneller DRAM mit einer synchronen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle ist. Eingangs-/Ausgangs- und Controllersignale werden mit einem externen Taktgeber synchronisiert, was dem Entwickler neue Möglichkeiten eröffnet. Vereinfachte Schnittstellenschaltungen und ein hoher Bandbreitendurchsatz können mit SDRAM im Vergleich zu herkömmlichem DRAM erzielt werden.