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gan transistor modeling power di chauhan (11 risultati)
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Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 184,57
EUR 2,27 per la spedizione in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Gan Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the Asm-Hemt Model
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 187,89
EUR 7,36 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
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Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 194,69
EUR 2,27 per la spedizione in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Gan Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the Asm-Hemt Model
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New.
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Gan Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the Asm-Hemt Model
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 208,35
EUR 9,95 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 229,98
EUR 13,57 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 229,32
EUR 16,99 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics : Using the Asm-hemt Model
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 252,71
EUR 16,99 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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EUR 246,48
EUR 48,99 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Über den AutorYogesh Singh Chauhan is a Professor at the Indian Institute of Technology Kanpur. His research interests include the physics, characterization, and modeling of nanoscale semiconductor devices, and RF circuit design.
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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics : Using The ASM-HEMT Model
Editore: Elsevier Science Publishing Co Inc Mai 2024, 2024
ISBN 10: 0323998712 ISBN 13: 9780323998710
Lingua: Inglese
EUR 346,10
EUR 62,13 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-GaN-HEMT Model covers all aspects of characterization and modeling of GaN transistors for both RF and Power electronics applications. Chapters cover an in-depth analysis of the industry standard compact model ASM-HEMT for GaN transistors. The book details the core surface-potential calculations and a variety of real device effects, including trapping, self-heating, field plate effects, and more to replicate realistic device behavior. The authors also include chapters on step-by-step parameter extraction procedures for the ASM-HEMT model and benchmark test results.
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Gan Transistor Modeling for Rf and Power Electronics: Using the Asm-hemt Model
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 186,24
EUR 14,16 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 425 pages. 9.00x6.00x0.43 inches. In Stock. This item is printed on demand.
