Monte carlo device simulation (57 risultati)
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Editore: Springer, 1989
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2002
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2003
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Editore: Springer, 2012
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2003
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2011
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 1989
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2012
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book summarizes the research of more than a decade. Its early motivation dates back to the eighties and to the memorable talks Dr. C. Moglestue (FHG Freiburg) gave on his Monte-Carlo solutions of the Boltzmann transport equation at the NASECO…DE conferences in Ireland. At that time numerical semiconductor device modeling basically implied the application of the drift-diffusion model. On the one hand, those talks clearly showed the potential of the Monte-Carlo model for an accurate description of many important transport issues that cannot adequately be addressed by the drift-diffusion approximation. On the other hand, they also clearly demonstrated that at that time only very few experts were able to extract useful results from a Monte-Carlo simulator. With this background, Monte-Carlo research activities were started in 1986 at the University of Aachen (RWTH Aachen), Germany. Different to many other Monte-Carlo research groups, the Monte-Carlo research in Aachen took place in an environment of active drift-diffusion and hydrodynamic model development.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2003
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book summarizes the research of more than a decade. Its early motivation dates back to the eighties and to the memorable talks Dr. C. Moglestue (FHG Freiburg) gave on his Monte-Carlo solutions of the Boltzmann transport equation at the NASECODE conf…erences in Ireland. At that time numerical semiconductor device modeling basically implied the application of the drift-diffusion model. On the one hand, those talks clearly showed the potential of the Monte-Carlo model for an accurate description of many important transport issues that cannot adequately be addressed by the drift-diffusion approximation. On the other hand, they also clearly demonstrated that at that time only very few experts were able to extract useful results from a Monte-Carlo simulator. With this background, Monte-Carlo research activities were started in 1986 at the University of Aachen (RWTH Aachen), Germany. Different to many other Monte-Carlo research groups, the Monte-Carlo research in Aachen took place in an environment of active drift-diffusion and hydrodynamic model development.
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Hardcover. Condizione: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
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Condizione: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 324 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the materia…l properties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such as reliabil ity related hot-electron effects in MOSFETs cannot be understood satisfac torily without using full band Monte Carlo. The IBM simulator DAMOCLES, therefore, represents a landmark of great significance. DAMOCLES sums up the total of Monte Carlo device modeling experience of the past, and reaches with its capabilities and opportunities into the distant future. This book, therefore, begins with a description of the IBM simulator. The second chapter gives an advanced introduction to the physical basis for Monte Carlo simulations and an outlook on why complex effects such as collisional broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro the book. The third chapter ductory material can be found throughout describes a typical relationship of Monte Carlo simulations to experimental data and indicates a major difficulty, the vast number of deformation poten tials required to simulate transport throughout the entire Brillouin zone. The fourth chapter addresses possible further extensions of the Monte Carlo approach and subtleties of the electron-electron interaction.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2003
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno UnitoGreatBookPricesUK
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EUR 192,36
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 1989
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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EUR 3,41 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Condizione: New. pp. 376.
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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EUR 209,18
EUR 3,41 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Condizione: New. pp. 324.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2012
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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EUR 29,18 spedizioneSpedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Paperback. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2011
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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EUR 210,39
EUR 3,41 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Condizione: New. pp. 372.
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Da: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandaKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
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EUR 201,84
EUR 9,50 spedizioneSpedito da Irlanda a U.S.A.Quantità: 15 disponibili
Condizione: New. Editor(s): Hess, Karl. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 310 pages, biography. BIC Classification: TJFD. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 19. Weight in Grams: 1390. . 1991. Hardback. .…. . .
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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EUR 211,31
EUR 3,41 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Condizione: New. pp. 324.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2003
- Rilegato
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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EUR 2,26 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 1989
- Rilegato
Da: Buchpark, Trebbin, GermaniaBuchpark
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EUR 120,10
EUR 105,00 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 376 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The application of the Monte Carlo method to the simulation of semiconductor devices is presented. A review of the physics of transport in semiconductors is given, followed by an introduction to the physics of semiconductor devices.…The Monte Carlo algorithm is discussed in great details, and specific applications to the modelling of semiconductor devices are given. A comparison with traditional simulators is also presented.
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 168,73
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the material pr…operties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such as reliabil ity related hot-electron effects in MOSFETs cannot be understood satisfac torily without using full band Monte Carlo. The IBM simulator DAMOCLES, therefore, represents a landmark of great significance. DAMOCLES sums up the total of Monte Carlo device modeling experience of the past, and reaches with its capabilities and opportunities into the distant future. This book, therefore, begins with a description of the IBM simulator. The second chapter gives an advanced introduction to the physical basis for Monte Carlo simulations and an outlook on why complex effects such as collisional broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro the book. The third chapter ductory material can be found throughout describes a typical relationship of Monte Carlo simulations to experimental data and indicates a major difficulty, the vast number of deformation poten tials required to simulate transport throughout the entire Brillouin zone. The fourth chapter addresses possible further extensions of the Monte Carlo approach and subtleties of the electron-electron interaction.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2011
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 168,73
EUR 62,82 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The application of the Monte Carlo method to the simulation of semiconductor devices is presented. A review of the physics of transport in semiconductors is given, followed by an introduction to the physics of semiconductor devices. The Monte Carl…o algorithm is discussed in great details, and specific applications to the modelling of semiconductor devices are given. A comparison with traditional simulators is also presented.
