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Physics and Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Condizione: New.
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PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE: SURFACE-POTENTIAL MODEL HISIM (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology (Asset))
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: SatelliteBooks, Burlington, VT, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
hardcover. Condizione: Hardcover. Hardcover. unused. Free of any markings and no writings inside. Minor shelf-wear.
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PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE: SURFACE-POTENTIAL MODEL HISIM (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology (Asset))
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: -OnTimeBooks-, Phoenix, AZ, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim (International Advances in Solid State Electronics and Technology)
Da: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim (International Advances in Solid State Electronics and Technology)
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
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Physics and Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2008
ISBN 10: 9813203315 ISBN 13: 9789813203310
Da: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Regno Unito
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 8 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New. This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
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Physics and Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 66,85
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim: 0 (International Series On Advances In Solid State Electronics And Technology)
Da: Chiron Media, Wallingford, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 74,88
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 10 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New.
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Physics and Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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The Physics and Modeling of Mosfets: Surface-potential Model Hisim (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology)
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 96,98
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 380 pages. 9.00x6.00x0.86 inches. In Stock.
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Physics and Modeling of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: WORLD SCIENTIFIC PUB CO INC, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
AffareEUR 38,70
EUR 105,00 shipping
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 380 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
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Physics And Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2008
ISBN 10: 9813203315 ISBN 13: 9789813203310
Da: Rarewaves.com UK, London, Regno Unito
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Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New. This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
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Physics And Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Physics And Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: WORLD SCIENTIFIC PUB CO INC, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
EUR 144,17
EUR 48,99 shipping
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloGebunden. Condizione: New. Provides a description of the compact MOS transistor models for circuit simulation. This book considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one.
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Physics And Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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