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progress structures devices operating (18 risultati)
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 36,16
Convertire valutaEUR 3,38 per la spedizione in U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 368.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 33,98
Convertire valutaEUR 7,44 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 368 49:B&W 6.14 x 9.21 in or 234 x 156 mm (Royal 8vo) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 36,12
Convertire valutaEUR 9,95 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 368.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (NATO Science Series II:58)
Da: Zubal-Books, Since 1961, Cleveland, OH, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 55,63
Convertire valutaEUR 3,81 per la spedizione in U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Good. 351 pp., Hardcover, ex library else text clean and binding tight. - If you are reading this, this item is actually (physically) in our stock and ready for shipment once ordered. We are not bookjackers. Buyer is responsible for any additional duties, taxes, or fees required by recipient's country.
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Progress In Soi Structures And Devices Operating At Extreme Conditions (nato Science Series Ii: Mathematics, Physics And Chemistry)
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 67,59
Convertire valutaGratis per la spedizione in U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Progress In Soi Structures And Devices Operating At Extreme Conditions (nato Science Series Ii: Mathematics, Physics And Chemistry)
Da: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 67,59
Convertire valutaGratis per la spedizione in U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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EUR 85,46
Convertire valutaGratis per la spedizione da Australia a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (Nato Science Series II:)
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 120,26
Convertire valutaEUR 28,62 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Like New. Like New. book.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 58)
Da: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 200,72
Convertire valutaEUR 3,38 per la spedizione in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 58)
Da: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 201,12
Convertire valutaEUR 3,38 per la spedizione in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 58)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 225,45
Convertire valutaEUR 13,71 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 58)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 225,45
Convertire valutaEUR 13,71 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Da: Chiron Media, Wallingford, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 222,79
Convertire valutaEUR 17,73 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 10 disponibili
Aggiungi al carrelloPF. Condizione: New.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Editore: Springer Netherlands, Springer Netherlands, 2002
ISBN 10: 1402005768 ISBN 13: 9781402005763
Lingua: Inglese
EUR 223,11
Convertire valutaEUR 62,91 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions (Nato Science Series II: (58))
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 332,47
Convertire valutaEUR 28,62 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Like New. Like New. book.
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EUR 318,78
Convertire valutaEUR 63,54 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Neuware - A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Editore: Springer Netherlands Apr 2002, 2002
ISBN 10: 1402005768 ISBN 13: 9781402005763
Lingua: Inglese
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 85,59
Convertire valutaEUR 23,00 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena. 364 pp. Englisch.
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Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Editore: Springer Netherlands, Springer Netherlands Apr 2002, 2002
ISBN 10: 1402005768 ISBN 13: 9781402005763
Lingua: Inglese
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 213,99
Convertire valutaEUR 60,00 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 364 pp. Englisch.
