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SiC Power Module Design : Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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SiC Power Module Design
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, GB, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
EUR 129,71
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Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloHardback. Condizione: New. High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging. This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs. Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.
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SiC Power Module Design: Performance, robustness and reliability (Energy Engineering)
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
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SiC Power Module Design : Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 130,04
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SiC Power Module Design : Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Spedizione EUR 17,20
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SiC Power Module Design : Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 137,41
Spedizione EUR 17,20
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SiC Power Module Design: Performance, robustness and reliability (Energy Engineering)
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: The Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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SiC Power Module Design
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, GB, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 133,50
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Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloHardback. Condizione: New. High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging. This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs. Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.
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Sic Power Module Design: Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Inst of Engineering & Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 300 pages. 9.25x6.00x0.75 inches. In Stock.
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Sic Power Module Design: Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: INSTITUTION OF ENGINEERING & T, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
EUR 161,16
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Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. KlappentextWide Bandgap semiconductor devices offer higher efficiency, smaller size, less weight, and longer lifetime, with applications in power grid electronics and electromobility. This book describes the state of advanced packagin.
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Sic Power Module Design: Performance, Robustness and Reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution Of Engineering & Technology Feb 2022, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
EUR 182,16
Spedizione EUR 63,31
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Neuware - Wide Bandgap semiconductor devices offer higher efficiency, smaller size, less weight, and longer lifetime, with applications in power grid electronics and electromobility. This book describes the state of advanced packaging solutions for novel wide-band-gap semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) MOSFETs and diodes.
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SiC Power Module Design
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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SiC Power Module Design
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 146,23
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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SiC Power Module Design: Performance, robustness and reliability
Libro 64 di 65: Energy EngineeringLingua: Inglese
Editore: Institution of Engineering and Technology, 2022
ISBN 10: 1785619071 ISBN 13: 9781785619076
Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito
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