Sinossi
The first comprehensive overview describing the effects of ionizing radiation on MOS devices, as well as how to design, fabricate, and test integrated circuits intended for use in a radiation environment. Also addresses process-induced radiation effects in the fabrication of high-density circuits. Reviews the history of radiation-hard technology, providing background information for those new to the field. Includes a comprehensive review of the literature and an annotated listing of research activities in radiation-hardness research.
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T. P. Ma and Paul V. Dressendorfer are the authors of Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits, published by Wiley.
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Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits
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Wiley-Interscience, 1989
ISBN 10: 047184893X
ISBN 13: 9780471848936
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