Articoli correlati a Physical and Technical Problems of SOI Structures and...

Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Gurzuf, Ukraine, November 1-4, ... Partnership Subseries 3: High Technology) - Rilegato

 
9780792336006: Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Gurzuf, Ukraine, November 1-4, ... Partnership Subseries 3: High Technology)

Sinossi

Preface. Contributors. SOI materials: Low dose SIMOX for ULSI applications; A.J. Auberton-Hervé, et al. Why porous silicon for SOI? V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev. Defect engineering in SOI films prepared by zone-melting recrystallization; E.I. Givargizov, et al. Ion beam processing for SOI; W. Skorupa. Semi-insulating oxygen-doped silicon by low temperature chemical vapor deposition for SOI applications; J.C. Sturm, et al. Direct formation of thin film nitride structures by high intensity ion implantation of nitrogen into silicon; R. Yankov, F. Komarov. Stimulated technology for implanted SOI formation; V.G. Litovchenko, et al. Behaviour of oxygen and nitrogen atoms sequentially implanted into silicon; A.B. Danilin. SOI fabrication by silicon wafer bonding with the help of glass-layer fusion; N.I. Koshelev, et al. Crystallization of a-Si films on glasses by multipulse- excimer-laser technique; A.B. Limanov. Microzone laser recrystallized polysilicon layers on insulator; A.A. Druzhinin, et al. SOI materials characterization techniques: Electrical characterization techniques for SOI materials and devices; S. Christoloveanu. The defect structure of buried oxide layers in SIMOX and BESOI structures; A.G. Revesz, H.L. Hughes. IR study of buried layer structure on different stages of technology; V.G. Litovchenko, et al. Optical investigation of silicon implanted with high doses of oxygen and hydrogen ions; P.A. Aleksandrov, et al. Electrical properties of ZMR SOI structures: characterization techniques and experimental results; T.E. Rudenko et al. SOI Devices: Fabrication and characterisation of poly-Si TFTs on glass; S.D. Brotherton, et al. Hot carrier reliability of SOI structures; D.E. Ioannou. NovelTESC bipolar transistor approach for a thin-film SOI substrate; C.J. Patel, et al. Problems of radiation hardness of SOI structures and devices; A.N. Nazarov. Fabrication of SIMOX structures and ICs test elements; G.G. Voronin, et al. Low-frequency noise characterization of SOI depletion-mode p- MOSFETS; N.B. Lukyanchikova, et al. SOI circuits: SOI devices and circuits: an overview of potentials and problems; J.-P. Colinge. 1.2 &mgr; CMOS/SOI on porous silicon; V.P. Bondarenko, et al. SOI pressure sensors based on laser recrystallized polysilicon; V.A. Voronin, et al. Index.

Le informazioni nella sezione "Riassunto" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Reseña del editor

In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterisation, device and circuit issues.

Reseña del editor

In this text, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterization, device and circuit issues.

Le informazioni nella sezione "Su questo libro" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Compra usato

Condizioni: buono
300 pp., Hardcover, ex library,...
Visualizza questo articolo

EUR 20,46 per la spedizione da U.S.A. a Italia

Destinazione, tempi e costi

EUR 11,00 per la spedizione da Germania a Italia

Destinazione, tempi e costi

Altre edizioni note dello stesso titolo

9789401040525: Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices: 3 (Closed)): 4

Edizione in evidenza

ISBN 10:  9401040524 ISBN 13:  9789401040525
Casa editrice: Springer, 2012
Brossura

Risultati della ricerca per Physical and Technical Problems of SOI Structures and...

Foto dell'editore

Colinge, J.-P., Lysenko, Vladimir S., Nazarov, Alexei N.
Editore: Springer, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Antico o usato Rilegato

Da: Zubal-Books, Since 1961, Cleveland, OH, U.S.A.

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: Good. 300 pp., Hardcover, ex library, wear to cover, else text clean & binding tight. - If you are reading this, this item is actually (physically) in our stock and ready for shipment once ordered. We are not bookjackers. Buyer is responsible for any additional duties, taxes, or fees required by recipient's country. Codice articolo ZB1126730

Contatta il venditore

Compra usato

EUR 37,06
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 20,46
Da: U.S.A. a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 1 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

Jean-Pierre Colinge
Editore: SPRINGER NATURE Jun 1995, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato
Print on Demand

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterisation, device and circuit issues. 304 pp. Englisch. Codice articolo 9780792336006

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 85,55
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 11,00
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 2 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. In. Codice articolo ria9780792336006_new

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 89,81
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 10,30
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

Jean-Pierre Colinge
Editore: Springer, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterisation, device and circuit issues. Codice articolo 9780792336006

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 91,43
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 14,99
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 2 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: Best Price, Torrance, CA, U.S.A.

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. SUPER FAST SHIPPING. Codice articolo 9780792336006

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 86,54
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 25,56
Da: U.S.A. a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 4 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Editore: Springer, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Condizione: New. Codice articolo I-9780792336006

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 104,48
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 7,67
Da: U.S.A. a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Immagini fornite dal venditore

Colinge, Jean-Pierre|Lysenko, Vladimir S.|Nazarov, Alexei N.
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: moluna, Greven, Germania

Valutazione del venditore 4 su 5 stelle 4 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Gebunden. Condizione: New. In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hithe. Codice articolo 898696781

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 103,03
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 9,70
Da: Germania a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Jean-Pierre Colinge
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato
Print on Demand

Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Hardback. Condizione: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days 676. Codice articolo C9780792336006

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 107,18
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 11,34
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: Più di 20 disponibili

Aggiungi al carrello

Foto dell'editore

Colinge, Jean-Pierre (Editor)/ Lysenko, V. S. (Editor)/ Nazarov, A. N. (Editor)/ NATO Advanced Research Workshop on Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices (1994 : Hurzuf, Ukraine)
Editore: Kluwer Academic Pub, 1995
ISBN 10: 0792336003 ISBN 13: 9780792336006
Nuovo Rilegato

Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito

Valutazione del venditore 5 su 5 stelle 5 stelle, Maggiori informazioni sulle valutazioni dei venditori

Hardcover. Condizione: Brand New. 290 pages. 10.00x6.75x1.00 inches. In Stock. Codice articolo x-0792336003

Contatta il venditore

Compra nuovo

EUR 138,52
Convertire valuta
Spese di spedizione: EUR 11,45
Da: Regno Unito a: Italia
Destinazione, tempi e costi

Quantità: 2 disponibili

Aggiungi al carrello