A differenza dei transistor, il continuo downscaling delle dimensioni delle feature nella tecnologia CMOS porta ad un drammatico aumento della resistività di interconnessione e al degrado concomitante delle prestazioni. Nei nodi della tecnologia su scala nanometrica, il ritardo e l'affidabilità dell'interconnessione diventano i principali colli di bottiglia affrontati dai moderni circuiti integrati. Per risolvere questi problemi di interconnessione, sono state proposte e studiate varie tecnologie emergenti, tra cui airgap, nanocarbon, ottico e attraverso il silicio attraverso (TSV). Ad esempio, in virtù della tecnologia TSV, gli stampi possono essere impilati per aumentare la densità di integrazione. Ancora più importante, l'integrazione e il packaging 3D offrono anche la piattaforma più promettente per implementare tecnologie "More-than-Moore", fornendo materiali e tecnologie eterogenei su un singolo chip.
Il numero speciale "Advanced Interconnect and Packaging" mira a mostrare documenti di ricerca sui nuovi sviluppi nell'interconnessione avanzata e nel packaging, ovvero sulla progettazione, modellazione, fabbricazione e valutazione dell'affidabilità delle tecnologie emergenti di interconnessione e confezionamento. Inoltre, ci sono due articoli interessanti sulle interconnessioni dei nanotubi di carbonio e sui problemi di affidabilità dell'interconnessione.
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